[实用新型]光掩模坯料和光掩模组有效
| 申请号: | 201720040773.1 | 申请日: | 2017-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN206594443U | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
| 发明(设计)人: | 桥本昌典 | 申请(专利权)人: | 株式会社SK电子 |
| 主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光掩模 坯料 模组 | ||
1.一种光掩模坯料,其特征在于:
包括至少位于四边形的顶点的4个对准图形,
由所述各对准图形的坐标位置构成的基准数据信息与记录于所述坯料的坐标位置或识别所述坯料的识别信息相关联。
2.如权利要求1所述的光掩模坯料,其特征在于:
所述4个对准图形位于下述4个基准点:
从构成所述光掩模坯料的端面的四边中交叉的第一边和第二边分别离开第一距离和第二距离的第一基准点;
从所述第二边和所述第一基准点分别离开第三距离和第四距离的第二基准点;
从所述第一基准点在与连接所述第一基准点和所述第二基准点的基准边垂直的方向上离开第五距离的第三基准点;和
从所述第二基准点在与所述基准边垂直的方向上离开第六距离的第四基准点。
3.如权利要求1~2中任一项所述的光掩模坯料,其特征在于:
所述各对准图形的所述坐标位置包括在所述对准图形形成后所测定的所述各对准图形的相对坐标位置,或相对坐标位置和绝对坐标位置。
4.一种光掩模组,其特征在于:
包括在多个光掩模坯料上刻画有各自不同的图形的多个光掩模,所述多个光掩模坯料中的每一个包括至少位于四边形的顶点的4个对准图形,且所述各对准图形的坐标位置的基准数据信息相关联。
5.如权利要求4所述的光掩模组,其特征在于:
所述不同的图形是利用由图形刻画装置测定所述光掩模坯料的所述各对准图形的坐标位置所得到的坐标位置测定值和所述基准数据信息进行了修正后的图形。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





