[实用新型]一种湿法金属剥离装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体芯片生产领域，尤其是一种湿法金属剥离装置。

背景技术

半导体芯片生产过程中需要制作金属电极，从而达到金属和半导体材料硅、锗、砷化镓、氮化镓、碳化硅等材料的欧姆接触、肖特基接触等。只有成功制作出合格的金属半导体接触才能形成可靠的电极引出端，利于后续封装中制作金属引线。根据不同的半导体材料，制作金属电极时需要的用到的金属可能是多种或者是比较难刻蚀的金属，如镍、铬等。通过湿法剥离的方法可以完全解决复杂金属的电极化问题。

如图1所示通常先经过光刻在需要制作金属的地方形成光刻胶2的孔，不需要金属的地方由光刻胶2覆盖，然后通过蒸发或者溅射的方法将金属3镀到晶圆片1表面，最后将晶圆片1整体放入湿法去胶的溶液中，如去胶液等，在剥离光刻胶的同时，会将光刻胶上方的金属一同剥离，而直接接触到半导体的金属2则不受影响，从而达到制作电极的要求。

目前采用的湿法金属剥离装置比较简单，如实验室和小型研发线采用烧杯或者大一点的器皿盛放去胶液，然后放到加热板上进行加热，达到一定温度后将晶圆片放入溶液中浸泡，随着光刻胶的溶解，其上的金属也跟着脱落，达到金属刻蚀的目的。

由于金属是在溶液中被剥落，而不是被溶解掉，因此会有很多金属的碎屑漂浮在溶液中，容易导致冲洗不干净，剥离效率下降。而且由于有些小线条的电极，无法在自然状态下溶解，需要通过超声的形式协助，因此，会将脱落的金属屑变成小金属渣，这样的金属渣滓容易依附到晶圆的微小结构里造成沾污。

实用新型内容

针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的是提供一种湿法金属剥离装置，避免剥离后的金属碎屑再次附着道晶圆片表面，减少了去胶液中金属残渣对晶圆制品的影响。

本实用新型的技术方案为：

一种湿法金属剥离装置，该装置包括：内腔中盛装有去胶液的容器，配备一个对所述去胶液进行加热的加热装置，所述容器内腔底部设置有超声换能器和将晶圆片与容器壁分离开的承托件，与容器内腔连接有去胶液的循环过滤装置，在所述循环过滤装置的进水口处设置有电磁体。

进一步，所述容器内设置有隔板，所述隔板将容器内腔分隔成上下两个腔体，所述去胶液盛装在上腔体中，所述循环过滤装置设置在下腔体中。

进一步，所述隔板上设置有所述循环过滤装置的进水口和出水口，循环过滤装置包括能够过滤金属渣滓的滤芯和循环水泵。

进一步，所述电磁体能够独立的进行控制。

进一步，所述加热装置为设置在所述容器侧壁上的加热膜。

进一步，所述隔板上设置有一个连接外界的液体排放口。

进一步，所述承托件为格网或者条形格栅。

本实用新型在现有的剥离装置中，增加了金属渣滓的循环过滤装置，同时在过滤口出增加可控的电磁体单元，增加过滤效果；电磁体采用独立控制，当吸引金属渣滓聚集后将其关闭，避免因金属渣滓粘附在电磁体上，导致金属渣滓无法进入循环过滤装置或者将其进水口堵塞的情况。

附图说明

图1为晶圆片上制作金属电极步骤的示意图；

图2为本实用新型湿法金属剥离装置的示意图；

图中，1晶圆片、2光刻胶、3金属、4容器、5加热膜、6隔板、7承托件、8超声换能器、9循环过滤装置、10电磁铁、11液体排放口、12去胶液。

具体实施方式

下面利用实施例对本实用新型进行更全面的说明。本实用新型可以体现为多种不同形式，并不应理解为局限于这里叙述的示例性实施例。

为了易于说明，在这里可以使用诸如“上”、“下”、“左”、“右”等空间相对术语，用于说明图中示出的一个元件或特征相对于另一个元件或特征的关系。应该理解的是，除了图中示出的方位之外，空间术语意在于包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被倒置，被叙述为位于其他元件或特征“下”的元件将定位在其他元件或特征“上”。因此，示例性术语“下”可以包含上和下方位两者。装置可以以其他方式定位（旋转90度或位于其他方位），这里所用的空间相对说明可相应地解释。

如图2所示一种湿法金属剥离装置，该装置包括：一个容器4，容器4的侧壁上安装有加热膜5，容器4的内腔中设置有一隔板6，隔板6将容器4的内腔分隔成上下两个腔体，上腔体中盛装有去胶液12，下腔体中设置有循环过滤装置9。

在上腔体槽底的隔板6上设置有超声换能器8，在超声换能器8的上方设置有承托件7，晶圆片1放置在承托件7上，与容器4的低壁和侧壁分离开，承托件7为格网或者条形格栅，保证液体的超声效果能够穿透承托件7作用在晶圆片1上。