[实用新型]一种湿法金属剥离装置有效
| 申请号： | 201720040082.1 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN206441706U | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张敬伟;倪炜江;牛喜平;李明山;徐妙玲 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 尹振启,张希宇 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 金属 剥离 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种湿法金属剥离装置，其特征在于，该装置包括：内腔中盛装有去胶液的容器，配备一个对所述去胶液进行加热的加热装置，所述容器内腔底部设置有超声换能器和将晶圆片与容器壁分离开的承托件，与容器内腔连接有去胶液的循环过滤装置，在所述循环过滤装置的进水口处设置有电磁体。
2.如权利要求1所述的湿法金属剥离装置，其特征在于，所述容器内设置有隔板，所述隔板将容器内腔分隔成上下两个腔体，所述去胶液盛装在上腔体中，所述循环过滤装置设置在下腔体中。
3.如权利要求2所述的湿法金属剥离装置，其特征在于，所述隔板上设置有所述循环过滤装置的进水口和出水口，循环过滤装置包括能够过滤金属渣滓的滤芯和循环水泵。
4.如权利要求1所述的湿法金属剥离装置，其特征在于，所述电磁体能够独立的进行控制。
5.如权利要求1所述的湿法金属剥离装置，其特征在于，所述加热装置为设置在所述容器侧壁上的加热膜。
6.如权利要求2所述的湿法金属剥离装置，其特征在于，所述隔板上设置有一个连接外界的液体排放口。
7.如权利要求1所述的湿法金属剥离装置，其特征在于，所述承托件为格网或者条形格栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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