[实用新型]一种类金刚石镀膜制备设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及类金刚石镀膜制造技术，尤其涉及一种类金刚石镀膜制备设备。

背景技术

类金刚石(Diamond-like carbon，简称DLC)镀膜具有高的硬度、高的化学稳定性、高的导热系数、低的摩擦系数、较好的介电性能以及优异的光谱特性，在光学、电学、机械、医学等领域得到了广泛的应用。

现有技术中，多采用等离子增强化学气相沉积技术制备DLC镀膜，该技术具有沉积温度低、绕度性好以及在大面积衬底上沉积的膜层厚度均匀性好的特点，被广泛应用于DLC薄膜的制备。

但是，采用现有的技术，在实际应用中也存在诸多问题：1)薄膜的内应力大，与基片的而结合力较差，易产生薄膜开裂和剥落；2)较差的热稳定性。

实用新型内容

本实用新型提供一种类金刚石镀膜制备设备，用于降低类金刚石镀膜的应力并且提高类金刚石镀膜的热稳定性。

本实用新型的第一个方面提供一种类金刚石镀膜制备设备，包括：真空腔体、伴热装置、扩散器、流量控制器和清洗装置；

其中，所述流量控制器一端设有导入管，另一端设有第一导出管，所述第一导出管与所述扩散器导通；所述扩散器通过第二导出管与所述真空腔体导通，所述伴热装置分别设置于所述第一导出管和所述第二导出管上；

所述清洗装置包含清洗腔体、承载盘、清洗喷头以及清洗液存储罐；

其中，所述清洗腔体与所述真空腔体通过第一端口密封对接，所述清洗喷头对准所述承载盘，并于所述清洗液存储罐连接；所述承载盘用于承载基片。

较佳地，所述真空腔体设置有两个圆形电极。

较佳地，所述扩散器内部设置有：源瓶、热电偶和至少两个辐射发热管；

所述至少两个辐射发热管分别于所述热电偶连接。

较佳地，所述至少两个辐射发热管分布于所述源瓶的周围。

较佳地，第一端口与第二端口设置于所述扩散器的第一面，所述第一端口用于与所述第一导出管连接，所述第二端口与所述第二导出管连接。

较佳地，所述热电偶设置于所述第一端口和所述第二端口的下端。

较佳地，所述伴热装置与所述热电偶连接。

较佳地，所述第一导出管设置有第一开关；所述第二导出管设置有第二开关。

较佳地，所述扩散器至少为两个。

较佳地，所述清洗装置还包括：干燥模块；所述干燥模块，包括：干燥气体喷射器和干燥气体存储罐；

其中，干燥气体喷射器对准所述承载盘，并于所述干燥气体存储罐连接。

本实施例提供的类金刚石镀膜制备设备，通过增加扩散器以及伴热装置，实现类金刚石镀膜制制备过程中液态前驱物的掺杂，从而提高了热稳定性，降低了薄膜的内应力，进一步地，通过设置清洗装置，将基片的清洗环节与类金刚石镀膜制备整合在一起，进一步提高了制备的效率。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种类金刚石镀膜制备设备的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的另一种类金刚石镀膜制备设备的结构示意图；

图3为本实用新型提供的类金刚石镀膜制备设备的应力测试示意图；

图4为本实用新型提供的类金刚石镀膜制备设备的不同温度下样品的拉曼光谱示意图；

图5为本实用新型提供的类金刚石镀膜制备设备的运载气体流量与硬度的关系示意图；

图6为本实用新型提供的类金刚石镀膜制备设备的不同运载气体流量下的DLC表面粗糙度的示意图；

图7为本实用新型提供的另一种类金刚石镀膜制备设备的结构示意图。

具体实施方式

图1为本实用新型实施例提供的一种类金刚石镀膜制备设备的结构示意图，参照图1，该设备包括：真空腔体10、伴热装置11、扩散器12、流量控制器13和清洗装置14；

其中，所述流量控制器13一端设有导入管13a，另一端设有第一导出管 13b，所述第一导出管13b与所述扩散器12导通；所述扩散器12通过第二导出管12a与所述真空腔体10导通，所述伴热装置11分别设置于所述第一导出管13b和所述第二导出管12a上。

所述清洗装置包含清洗腔体14-1、承载盘14-2、清洗喷头14-3以及清洗液存储罐14-4；

其中，所述清洗腔体14-1与所述真空腔体10通过第一端口14-5密封对接，所述清洗喷头14-3对准所述承载盘14-2，并于所述清洗液存储罐14-4连接；所述承载盘14-2用于承载基片。