[实用新型]带有抽真空系统的平板式PECVD进料腔

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶硅太阳能电池生产设备领域，是一种PECVD镀膜设备的带有抽真空系统的平板式PECVD进料腔。

背景技术

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)即等离子体增强化学气相沉积技术，是指借助微波或射频使含有薄膜组成原子的气体发生电离在局部形成等离子体，借助等离子体活泼易反应的化学特性在基片上沉积出所期望的薄膜。该技术被广泛应用于晶体硅太阳能电池的生产中。

太阳能行业所用的板式PECVD采用真空腔室作为反应室，因此在工艺过程中需要用真空泵不停地对设备腔室进行抽真空。

影响膜性能的主要因素是镀膜时温度、微波功率和真空度的控制。进料腔补给载片的速度直接影响到整个设备的产量，进料后快速达到工艺所需真空度是补给速度的主要影响因素。

由于PECVD工艺过程中会有反应颗粒物产生，真空泵会将颗粒抽到泵体内，长时间在泵体内沉积会造成真空泵的卡死，影响整个生产线的生产效率。

对于只用一条真空管连通腔体进行抽真空方案，气流变化剧烈，对载片冲击大，且抽气效率低；对于用多条真空管路连通腔体进行抽真空方案，因为加长了管路，相当于增加了腔体体积，增加了抽真空时间，影响生产速度。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：针对上述现有技术的不足，提供一种带有抽真空系统的平板式PECVD进料腔。

为解决技术问题，本实用新型的解决方案是：

提供一种带有抽真空系统的平板式PECVD进料腔，该进料腔呈中空状；在进料腔的底部设有多条气道，各气道的一端在进料腔底部中央交汇互通形成中心出口；各气道的另一端则均匀分布在进料腔底部的四周，且仅在该端部设置连接进料腔的气道入口；所述中心出口通过真空管道连接至真空泵，在中心出口与真空管道相接处设过滤网。

作为改进，所述气道是设在进料腔底部的凹陷的条形槽，各气道及中心出口的上部设盖板使进料腔的底部保持平面状态。

作为改进，所述气道有四条且呈十字形布置，或者气道有八条且呈米字形布置。

作为改进，所述真空管道上设有角阀。

作为改进，所述气道上部的盖板与中心出口上部的盖板是分离式的。

相对于现有技术，本实用新型的有益效果在于：

1、本实用新型对生产效率的提高和质量的提高有积极的意义，能缩短抽真空时间提高生产效率；提高真空室气流的稳定性，使镀膜的条件更加理想化，提高膜的质量。

2、能够对各种渣粒粉尘进行充分拦截，保护真空泵免受伤害，从而防止真空泵卡死，延长了真空泵的使用寿命。

3、在结构上的改动不大，设计合理，使用效果良好，非常实用。

附图说明

图1是本实用新型的整体结构示意图。

图2为进料腔的结构示意图。

图3为气道与真空管道的连接示意图。

图中：1、进料腔；2、气道；3、盖板；4、过滤网；5、角阀；6、真空泵；7、真空管道。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

如图1-3所示，本实用新型的进料腔1呈中空状，在其底部设有4条气道2且呈十字形布置，各气道2的一端在进料腔1底部中央交汇互通形成中心出口；各气道2的另一端则均匀分布在进料腔1底部的四周，且仅在该端部设置连接进料腔的气道入口；中心出口通过真空管道7连接至真空泵6，真空管道7上设角阀5，在中心出口与真空管道7相接处设过滤网4。气道2是设在进料腔1底部的凹陷的条形槽，各气道2及中心出口的上部设盖板3使进料腔1的底部保持平面状态。气道2上部的盖板3与中心出口上部的盖板3是分离式的，便于拆卸和清理。

气道2的数量可根据实际需要设置，例如可以选择八条气道2，且呈米字形布置，这样可以提升方形的进料腔1四个角落的抽真空效果。

使用说明：

使用时，先打开角阀5，开动真空泵6即可对进料腔1进行抽真空，从而使进料腔1维持必要的真空工作条件。进料腔1中的各种渣粒(或颗粒状杂质)随气流由四周同时进入气道2，在真空泵6的抽吸作用下向真空管道7方向流动；渣粒最终在进料腔1底部中央的中心出口处被过滤网4拦截并滞留，大大减少了进入真空泵6的渣粒数量，避免对真空泵6造成伤害。当设备运行一段时间后，打开中心出口处的盖板3，清除沉积的渣粒。

需要指出的是，以上具体实施方式只是本专利实现方案的具体个例，没有也不可能覆盖本专利的所有实现方式，因此不能视作对本专利保护范围的限定；凡是与以上案例属于相同构思的实现方案，均在本专利的保护范围之内。