[实用新型]功率型贴片半导体元件

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种功率型贴片半导体元件。

背景技术

现在市场上主要使用的半导体保护元件包括硅材料或碳化硅材料芯片的瞬态抑制二极管TVS、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材料芯片的压敏电阻MOV。

上述瞬态抑制二极管TVS、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS一般都是SOD-123、DO-214AA、DO-214AB、DO-214AC等封装形态，其能承受的电流从几安培到几百安培不等，能承受的功率从200W到最高6.5kW。而传统直插式的元件，其能承受的电流可达几千安培，功率可达30kW。

现在市场上的金属氧化物材料芯片的贴片式压敏电阻，主要包括多层陶瓷结构和塑封结构，多层陶瓷结构的贴片压敏电阻受其结构限制和加工工艺的影响，无法做到很高的通流容量，一般只有几百安培。塑封型的贴片压敏电阻，市面上现在最大有做到4032封装的，其通流容量1200A。而传统的插件式压敏电阻，其通流容量可达到70kA甚至更高。

如上可以看出，现在市场上的贴片式半导体元件，其耐受功率和电流往往都比较小，远低于传统的插件式半导体元件，而在诸如汽车电子、高功率电源等产品中，几千瓦的功率和几百安的通流容量远远满足不了实际使用的需求，很多产品都仍在使用插件式半导体元件。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是如何提供一种可封装与传统插件式半导体元件相同的半导体芯片，且在功率和其它电性指标上与插件元件保持相同水平的功率型贴片半导体元件。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种功率型贴片半导体元件，其特征在于：包括组合芯片，所述组合芯片的上表面焊接有上电极片，下表面焊接有下电极片；所述组合芯片的外侧设有容器状阻燃绝缘外壳，所述外壳与所述组合芯片之间填充有封装填料，所述上电极片和下电极片的自由端延伸至所述外壳外，作为所述半导体元件的两个连接引脚。

进一步的技术方案在于：所述组合芯片包括一个以上叠放到一起的单芯片。

进一步的技术方案在于：所述组合芯片为一个压敏电阻芯片或两个上、下叠放到一起的瞬态抑制二极管芯片。

进一步的技术方案在于：所述瞬态抑制二极管芯片的上、下表面设有导电层，瞬态抑制二极管芯片与瞬态抑制二极管芯片之间以及上电极片和下电极片与瞬态抑制二极管芯片之间通过焊料片进行焊接；上电极片和下电极片与所述压敏电阻芯片之间通过焊料片进行焊接。

进一步的技术方案在于：所述上电极片包括第一水平焊接片和第一连接片，所述第一水平焊接片焊接于所述组合芯片的上表面，所述第一连接片与所述第一水平焊接片垂直，所述第一连接片用于作为所述半导体元件的一个连接引脚；所述下电极片包括第二水平焊接片和第二连接片，所述第二水平焊接片焊接于所述组合芯片的下表面，所述第二连接片与所述第二水平焊接片垂直，所述第二连接片用于作为所述半导体元件的另一个连接引脚。

进一步的技术方案在于：所述上电极片包括第一水平焊接片和第一连接片，所述第一水平焊接片焊接于所述组合芯片的上表面，所述第一连接片包括第一竖直连接部和第一水平连接部，所述第一竖直连接部的上端与所述第一水平焊接片固定连接，所述第一竖直连接部的下端位于所述外壳外，与所述第一水平连接部固定连接，所述第一水平连接部用于作为所述半导体元件的一个连接引脚；所述下电极片包括第二水平焊接片和第二连接片，所述第二水平焊接片焊接于所述组合芯片的下表面，所述第二连接片包括第二竖直连接部和第二水平连接部，所述第二竖直连接部的上端与所述第二水平焊接片固定连接，所述第二竖直连接部的下端位于所述外壳外，与所述第二水平连接部固定连接，所述第二水平连接部用于作为所述半导体元件的另一个连接引脚。

进一步的技术方案在于：所述第一水平焊接片和第二水平焊接片上设有若干个通孔。

进一步的技术方案在于：所述第一连接片和第二连接片的前后侧面上以及第二水平焊接片与第二连接片的连接处设有凹槽。

进一步的技术方案在于：所述外壳使用阻燃绝缘的塑料、陶瓷或绝缘处理过的金属材料制作。

进一步的技术方案在于：所述封装填料的制作材料为阻燃绝缘的环氧树脂、硅橡胶、石英砂和/或滑石粉。