[实用新型]基板加热干燥装置有效
| 申请号: | 201720017960.8 | 申请日: | 2017-01-06 |
| 公开(公告)号: | CN206619582U | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
| 发明(设计)人: | 赵康一 | 申请(专利权)人: | K.C.科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 孙昌浩,李盛泉 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 加热 干燥 装置 | ||
1.一种基板加热干燥装置,其特征在于,包括:
腔室,在真空氛围下实现涂覆有药液的基板的干燥;
加热板,配备于所述腔室内,而且在内部具有提供用于所述基板的干燥的热源的加热单元,
所述基板的干燥在所述基板与所述加热板接触的状态下执行,
在所述加热板的表面形成有用于防止在所述加热板与所述基板接触时产生静电的防静电涂层。
2.如权利要求1所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
所述防静电涂层是氟涂层。
3.如权利要求1所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
在所述加热板的表面形成有用于减小所述加热板与所述基板接触时的表面张力的粗糙度赋予面。
4.如权利要求3所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
所述粗糙度赋予面的表面粗糙度为4μm以上。
5.如权利要求1所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
所述加热单元与接触于所述基板的加热板表面之间相隔预设的间距,以防止所述加热板表面的局部的温度集中。
6.如权利要求5所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
所述加热单元与接触于所述基板的加热板表面之间相隔15mm以上的间距。
7.如权利要求1所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
在所述加热单元与接触于所述基板的加热板表面之间配备有热扩散单元,所述热扩散单元用于将从所述加热单元产生的热量均匀地传递至所述加热板表面。
8.如权利要求7所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
所述热扩散单元是配备于所述加热单元与接触于所述基板的加热板表面之间的热扩散板或者空气层。
9.如权利要求7所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
所述加热单元由热线构成,
所述热扩散单元是包围所述热线的外侧面而配备的热扩散部件。
10.如权利要求1所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
所述基板借助移送机器人而被装载及卸载于所述腔室,
所述基板加热干燥装置配备有多个升降销,所述多个升降销以贯通所述加热板而支撑所述基板并升降的方式配备,并用于与所述移送机器人之间进行所述基板的接收或移交,
所述升降销以与所述基板的区域中的未涂覆药液的区域接触的方式配备。
11.如权利要求1所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
所述基板借助移送机器人而被装载及卸载于所述腔室,
所述基板加热干燥装置配备有多个升降销,所述多个升降销以贯通所述加热板而支撑所述基板并升降的方式配备,并用于与所述移送机器人之间进行所述基板的接收或移交,
所述升降销包括:第一升降销,接触于所述基板的区域中的未涂覆药液的区域;第二升降销,接触于所述基板的区域中的涂覆有药液的区域。
12.如权利要求11所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
在所述加热板形成有所述第一升降销所贯通的第一升降销孔和所述第二升降销所贯通的第二升降销孔,
在所述第二升降销孔安装有用于在所述第二升降销处于闲置状态时堵塞所述第二升降销孔的塞盖。
13.如权利要求12所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
安装于所述第二升降销孔的塞盖的末端位于以所述加热板的表面为基准而向所述第二升降销孔的内侧凹入预定间距的位置。
14.如权利要求1所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
在所述腔室的上部连接有用于向所述腔室的内部供应吹扫气体的吹扫气体供应管。
15.如权利要求14所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
在所述吹扫气体供应管配备有管加热器,所述管加热器用于将所述吹扫气体加热至与所述腔室内部的干燥工序温度对应的温度。
16.如权利要求14所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
在所述腔室配备有引导部件,所述引导部件引导从所述吹扫气体供应管排出的吹扫气体而使该吹扫气体朝向所述腔室的上部喷射。
17.如权利要求1所述的基板加热干燥装置,其特征在于,
在所述腔室的上部额外地配备有为了基板的加热干燥而提供热源的上部加热器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





