[实用新型]一种线路保护电路和供电线缆有效
申请号: | 201720017286.3 | 申请日: | 2017-01-06 |
公开(公告)号: | CN206685915U | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 龚勇 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 张颖玲,蒋雅洁 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 线路 保护 电路 供电 线缆 | ||
1.一种线路保护电路,其特征在于,所述电路包括:
自身阻抗随温度变化而变化的自恢复保护电路;
获取所述自恢复保护电路两端的第一电压差,并在所述第一电压差超出第一预设保护电压差阈值时向第一开关电路输出第一关断信号的第一保护监测电路;
接收到所述第一关断信号时,关断电源输出电流的所述第一开关电路;
所述第一开关电路的一端连接所述自恢复保护电路的一端,所述第一保护监测电路的两个检测端分别与所述自恢复保护电路的两端连接,所述第一保护监测电路的控制输出端与所述第一开关电路的第一开关控制端连接。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电路还包括:
获取所述自恢复保护电路两端的第二电压差,并在所述第二电压差超出第二预设保护电压差阈值时向第二开关电路输入第二关断信号的第二保护监测电路;
接收到所述第二关断信号时,关断所述电源输出的电流的第二开关电路;
所述第二开关电路的一端连接所述自恢复保护电路的一端,所述第二保护监测电路的两个检测端分别与所述自恢复保护电路的两端连接,所述第二保护监测电路的控制输出端与所述第二开关电路的第一开关控制端连接。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电路还包括:
检测电源上电状态,在所述电源上电时向所述第一开关电路输出第一导通信号指示第一开关电路导通所述电源的输出电流的第一上电检测电路;
所述第一上电检测电路的上电检测端与电源输出端连接,所述第一上电检测电路的导通控制端与所述第一开关电路的第二开关控制端连接。
4.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述电路还包括:
检测电源上电状态,在所述电源上电时向所述第二开关电路输出第二导通信号指示第二开关电路导通所述电源的输出电流的第二上电检测电路;
所述第二上电检测电路的上电检测端与电源输出端连接,所述第二上电检测电路的导通控制端与所述第二开关电路的第二开关控制端连接。
5.根据权利要求1或4所述的电路,其特征在于,所述线路保护电路有两个,且同向或反向并联设置。
6.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,采用单向导通的通路替换所述两个线路保护电路中的一个。
7.根据权利要求1至4任一项所述的电路,其特征在于,所述自恢复保护电路设置于被保护电路的发热部位。
8.根据权利要求1至4任一项所述的电路,其特征在于,所述第一保护监测电路包括:与所述自恢复保护电路同向并联设置的一个以上的PN结半导体元器件;
所述PN结半导体元器件的导通压降为第一预设保护电压差阈值。
9.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述第一开关电路包括:第一MOS管、第一三极管、第一电阻,其中,所述第一MOS管的栅极与第一三极管的集电极连接作为第二控制端,第一三极管的基极与第一电阻的一端连接作为所述第一开关电路的第一开关控制端,第一三极管的发射极与第一电阻的另一端连接并接地。
10.根据权利要求9所述的电路,其特征在于,所述第一MOS管为P沟道场效应管,所述第一MOS管栅极还设有非门;所述第一三极管为NPN三极管。
11.根据权利要求9所述的电路,其特征在于,所述第一上电检测电路包括:第二电阻,所述第二电阻一端和第一MOS管源极连接,另一端与第一MOS管栅极连接。
12.根据权利要求2或4所述的电路,其特征在于,所述第二保护监测电路包括:与所述自恢复保护电路同向并联设置的一个以上的PN结半导体元器件;
所述PN结半导体元器件的导通压降确定为第二预设保护电压差阈值。
13.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述第二开关电路包括:第二MOS管、第二三极管、第三电阻,其中,第二MOS管源极作为所述第二开关电路的输入端,第二MOS管栅极与第二三极管的集电极连接作为第二控制端,第二三极管的基极与第三电阻的一端连接作为所述第二开关电路的第一开关控制端,第二三极管的发射极与第三电阻的另一端连接并接地,所述第二MOS管的漏极为所述第一开关电路的输出端。
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