[实用新型]一种自旋光电子器件

权利要求书

1.一种自旋光电子器件，包括强磁性体(1)，其特征在于：所述强磁性体(1)内部产生若干个自旋极化电子(2)，所述强磁性体(1)的顶部两端分别设有源电极(3)和漏电极(7)，所述强磁性体(1)的一侧设有内腔，且内腔中设有半导体二维电子气体(8)，所述内腔的外顶壁分别设有输出电极(4)和栅电极(6)，且输出电极(4)和栅电极(6)之间设有输入电极(5)，所述源电极(3)和漏电极(7)的下端均设有砷化铟镓(9)，所述源电极(3)和漏电极(7)之间设有砷化铟铝(10)，且砷化铟镓(9)和砷化铟铝(10)之间填充有半导体二维电子气体(8)，所述砷化铟铝(10)的上端设有肖特基势垒(11)，且肖特基势垒(11)上端连接有外加电压(14)，所述源电极(3)的一端设有第一铁磁电极(12)，且第一铁磁电极(12)的一端接入地线，所述漏电极(7)的一端设有第二铁磁电极(13)，且第二铁磁电极(13)接入电源线，所述第一铁磁电极(12)和第二铁磁电极(13)的上端中部设有圆偏振光(15)。

2.根据权利要求1所述的一种自旋光电子器件，其特征在于：所述强磁性体(1)的内壁一侧设有磁性金属层，且磁性金属层的厚度为1-20nm。

3.根据权利要求2所述的一种自旋光电子器件，其特征在于：所述磁性金属层外部设有惰性金属保护层，且惰性金属保护层的厚度为1-5nm。

4.根据权利要求1所述的一种自旋光电子器件，其特征在于：所述源电极(3)和漏电极(7)均为金属蔽光电极。

5.根据权利要求1所述的一种自旋光电子器件，其特征在于：所述肖特基势垒(11)外部设有绝缘氧化物薄膜层，且绝缘氧化物薄膜层为氧化镁薄膜层，所述氧化镁薄膜层的厚度为1-5nm。