[实用新型]一种用于晶元生产中的废气处理装置

说明书

技术领域

本实用新型属于一种废气处理装置，具体为一种用于晶元生产中的废气处理装置。

背景技术

晶元（Wafer），是生产集成电路所用的载体，多指单晶硅圆片。其形状为圆形，故也称为晶圆。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过抛光、切片之后，就成为了晶元。

随着科学技术的突飞猛进，半导体制造技术日新月异，在晶元的生产过程中，大量的各种各样的特殊气体以及大宗气体不断被应用到新的工艺中去，如N2O、SiH4等气体，使晶圆表面生产二氧化硅缓冲层，但是同时在生成过程中却也会产生大量的废气，废气需要进行一些列的处理后，才能排放。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对以上问题，提供一种用于晶元生产中的废气处理装置，初步处理废气，通过加热使气体高温分解、燃烧、然后进行喷淋冷却，同时溶解易溶性废气。

为实现以上目的，本实用新型采用的技术方案是：一种用于晶元生产中的废气处理装置，包括加热腔（1）、冷却腔（2）、废水腔（3）、集气腔（4），所述加热腔（1）为中空腔体，内部侧壁上设置有电热管（11），顶部设置有与内部腔体连通的废气集合管（12），侧边上部设置有空气管（13）；所述空气管（13）延伸至加热腔（1）内部与腔体内部的喷气管（15）相连；所述喷气管（15）上端延伸至加热腔（1）内壁顶部，且所述喷气管（15）表面设置有气孔（151）；加热腔（1）下端设置有与冷却腔（2）上端相连的耐高温气管（102），耐高温气管（102）与冷却腔（2）内部连通；所述冷却腔（2）的内壁顶部设置有喷淋头（22），下方设置有废水腔（3），侧面设置有与集气腔（4）相连的冷气管（304）；所述废水腔（3）通过水管（203）与喷淋头（22）相连。

进一步的，所述喷气管（15）下端以螺旋状向下延伸，所述气孔（151）均匀分布于螺旋表面。

进一步的，所述冷却腔（2）的内壁上部设置有倒八字型的中空隔板（21），所述隔板（21）下端表面上均匀设置有喷淋头（22）。

进一步的，所述隔板（21）下方设置有与冷却腔（2）内侧壁相接的导板（23），所述导板（23）与隔板（21）平行；所述导板（23）的中间间隔处设置有可活动的活塞（24）；所述活塞（24）通过下端的弹簧（25）与基板（26）连接。

进一步的，所述活塞（24）的截面为三角形。

进一步的，所述集气腔（4）的上部设置有气水分离器（41），所述冷气管（304）通过气水分离器（41）与集气腔（4）相连。

本实用新型的有益效果：

1、初步处理废气，通过加热使气体高温分解、燃烧、然后进行喷淋冷却，同时溶解易溶性废气；

2、螺旋状的喷气管使得内部加热腔内部的废气能充分的与从空气管进入的压缩空气接触，还能是内部气体流动，使得燃烧充分；

3、字型的中空隔板和导板形成了气体通道，使冷却腔内的气体能进行二次喷淋，也更有利于可溶性废气的溶解；

4、本装置的废水腔的水采用部分循环，节省资源同时不影响处理效果。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图2为图1中B处的局部放大示意图。

图中所述文字标注表示为：1、加热腔；2、冷却腔；3、废水腔；4、集气腔；5、自来水管；11、电热管；12、废气集合管；13、空气管；14、泵机；15、喷气管；151、气孔；102、耐高温气管；21、隔板；22、喷淋头；23、导板；24、活塞；25、弹簧；26、基板；203、水管； 41、气水分离器；42、排气管；304、冷气管。

具体实施方式

为了使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本实用新型的保护范围有任何的限制作用。