[发明专利]一种OLED功能层喷墨打印制备方法及其掩膜板

权利要求书

1.一种OLED功能层喷墨打印制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供掩膜板基体，对所述掩膜板基体进行疏水处理，形成疏水层，所述掩膜板基体上开设有阵列通孔，所述阵列通孔用于喷墨打印工艺时注入OLED功能层墨水材料，所述阵列通孔与预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应设置；

在具有疏水层的所述掩膜板基体表面沉积缓冲层，形成掩膜板，所述掩膜板包括掩膜板基体、疏水层和缓冲层，所述疏水层设置在所述掩膜板基体相对的两侧，所述缓冲层设置在所述掩膜板基体一侧或相对两侧的所述疏水层上；

将所述掩膜板的缓冲层与TFT阵列基板对位贴合，使所述阵列通孔与所述TFT阵列基板上所述预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应设置；

在所述阵列通孔处采用喷墨打印工艺注入所述OLED功能层墨水材料，再将所述掩膜板和所述TFT阵列基板一同进行干燥，使所述OLED功能层墨水材料干燥，随后去除所述掩膜板，得到OLED功能层。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述疏水层的材质为聚四氟乙烯、有机硅树脂、氟硅树脂或长链聚合物。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述疏水层采用蒸镀法或磁控溅射法制备而成。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述疏水层的厚度为20-50nm，所述缓冲层的厚度为1-10μm。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的材质为氧化硅、氮化硅、碳氧化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲层采用等离子增强化学气相沉积法或喷墨打印法制备而成。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述疏水层覆盖所述阵列通孔的内壁。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阵列通孔与所述预注入OLED功能层墨水材料的区域的大小和数量相等，所述阵列通孔与所述预注入OLED功能层墨水材料的区域的位置相同。

9.一种OLED，其特征在于，包括OLED功能层，所述OLED功能层如权利要求1-8中任一项所述的制备方法制备而成。