[发明专利]半导体功率器件

权利要求书

1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成的至少一个MOSFET单元，所述MOSFET单元包括位于所述半导体衬底底部的第一导电类型的漏区；

位于所述半导体衬底中且位于所述漏区之上的至少一个第二导电类型的集电极区，所述集电极区与所述漏区连接形成pn结结构；

所述MOSFET单元还包括：位于所述漏区之上的第一导电类型的漂移区；位于所述半导体衬底顶部的第一导电类型的源区；第二导电类型的体区，所述体区位于所述源区与所述漂移区之间；位于所述体区内且介于所述源区和所述漂移区之间的电流沟道；以及控制所述电流沟道开启和关断的栅极结构；所述集电极区、所述漂移区、所述体区与所述源区之间形成p-n-p-n结构，所述p-n-p-n结构与所述栅极结构形成横向的IGBT结构。

2.如权利要求1所述的一种半导体功率器件，其特征在于，所述集电极区环绕包围所述MOSFET单元，或者所述集电极区位于所述MOSFET单元的一侧或者两侧。

3.如权利要求1所述的一种半导体功率器件，其特征在于，所述集电极区为位于所述漏区之上的多晶硅导电柱。

4.如权利要求1所述的一种半导体功率器件，其特征在于，所述半导体衬底中设有栅极沟槽，所述栅极结构设于所述栅极沟槽中，所述栅极结构包括栅介质层和控制栅极。

5.如权利要求4所述的一种半导体功率器件，其特征在于，所述栅极结构还包括绝缘介质层和屏蔽栅极。

6.如权利要求5所述的一种半导体功率器件，其特征在于，所述控制栅极设于所述栅极沟槽的上部两侧，所述屏蔽栅极由所述绝缘介质层与所述控制栅极和所述漂移区隔离。

7.如权利要求1所述的一种半导体功率器件，其特征在于，所述集电极区和所述MOSFET单元之间设有分压结构。

8.如权利要求7所述的一种半导体功率器件，其特征在于，所述分压结构为场板或者为场限环或者为填充有多晶硅的沟槽结构。