[发明专利]一种GaN基半导体激光芯片检测装置与方法

说明书

本发明实施例提供了一种GaN基半导体激光芯片检测装置及方法，所述装置包括：芯片装载模块、电源模块、显微成像模块和激光打标模块；通过电源模块为待检测芯片施加一定的电流使待检测芯片从p面和前腔面分别发出两束荧光，显微成像模块接收这两束荧光后对待检测芯片的p面和前腔面进行荧光成像，并判断待检测芯片的有源区是否存在失效区域、前腔面是否有灾变性光学损伤点，最后再通过激光打标模块对待检测芯片的有源区的失效区域正上方的p面进行打标以便后续处理。所述装置结构简单，且能够实现对待检测芯片的有源区的失效区域的正上方的p面区域打标，以此来定位失效区域在有源区中的位置，功能更加丰富，具有更好的实用价值。

技术领域

本发明实施例涉及半导体激光芯片技术领域，更具体地，涉及一种GaN基半导体激光芯片检测装置与方法。

背景技术

GaN基半导体激光芯片在使用的过程中，由于电流应力与温度应力的存在，可能会直接或间接导致有源区出现损伤进而产生失效区域，同时，芯片的前腔面也可能出现灾变性光学损伤，进而使芯片出现可靠性降低。

近年来，GaN基半导体激光芯片的应用市场越来越广泛，但同时对其的使用条件也越来越苛刻，可靠性要求也越来越高。因此若出现性能降低以致失效，需及时对其进行有效检测，同时对失效区域的进行定位，为下一步的微区分析切样做准备，以确定具体的失效原因。

但是现有技术中对GaN基半导体激光芯片进行检测时采用的装置往往结构复杂，只能通过检测判断被检测芯片是否受损，因此亟需提供一种结构简单，功能全面的针对GaN基半导体激光芯片的检测装置。

发明内容

本发明实施例提供了一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的GaN基半导体激光芯片检测装置与方法。

一方面本发明实施例提供了一种GaN基半导体激光芯片检测装置，所述装置包括：芯片装载模块、电源模块、显微成像模块和激光打标模块；其中，

所述芯片装载模块包括底座和装载台，所述装载台设置在所述底座上，所述装载台的下底面与所述底座的上底面接触，所述装载台的上底面上设置有一层金属接触层，所述金属接触层用于承载待检测芯片；

所述电源模块包括电源和正极探针，所述电源的负极与所述金属接触层连接，所述正极探针的一端与所述电源的正极连接，所述正极探针的另一端用于通过与所述待检测芯片p面的预设低阻ITO层接触来对待检测芯片供电，使所述待检测芯片从p面发出第一荧光，使所述待检测芯片从前腔面发出第二荧光；

所述显微成像模块用于接收所述第一荧光和所述第二荧光，并根据所述第一荧光和所述第二荧光分别对所述待检测芯片的p面和前腔面进行荧光成像；

所述激光打标模块用于对所述待检测芯片的有源区失效区域正上方的p面区域进行打标。

进一步地，所述装置还包括反射镜组、直角三棱镜组以及光路遮挡片组，其中，

所述反射镜组包括第一反射镜、第二反射镜和第三反射镜，所述第一反射镜与所述待检测芯片的前腔面对向设置，所述第二反射镜与所述显微成像模块的镜头对向设置，所述第三反射镜与所述第一反射镜之间成90°夹角设置，且与所述第二反射镜平行设置；

所述直角三棱镜组包括第一直角三棱镜和第二直角三棱镜，所述第一直角三棱镜和所述第二直角三棱镜两者的斜面对向平行设置，且两者的侧面均有一条直角边与水平面平行，且所述直角三棱镜组设置在所述第二反射镜和所述第三反射镜之间；

所述第一荧光依次经所述第二直角三棱镜和所述第二反射镜进入所述显微成像模块，所述第二荧光依次经所述第一反射镜、所述第三反射镜、所述第一直角三棱镜、所述第二直角三棱镜和所述第二反射镜进入所述显微成像模块；