[发明专利]一种GaN基半导体激光芯片检测装置与方法

权利要求书

1.一种GaN基半导体激光芯片检测装置，其特征在于，所述装置包括：芯片装载模块、电源模块、显微成像模块和激光打标模块；其中，

所述芯片装载模块包括底座和装载台，所述装载台设置在所述底座上，所述装载台的下底面与所述底座的上底面接触，所述装载台的上底面上设置有一层金属接触层，所述金属接触层用于承载待检测芯片；

所述电源模块包括电源和正极探针，所述电源的负极与所述金属接触层连接，所述正极探针的一端与所述电源的正极连接，所述正极探针的另一端用于通过与所述待检测芯片p面的预设低阻ITO层接触来对待检测芯片供电，使所述待检测芯片从p面发出第一荧光，使所述待检测芯片从前腔面发出第二荧光；

所述显微成像模块用于接收所述第一荧光和所述第二荧光，并根据所述第一荧光和所述第二荧光分别对所述待检测芯片的p面和前腔面进行荧光成像；

所述激光打标模块用于对所述待检测芯片的有源区失效区域正上方的p面区域进行打标；

还包括反射镜组、直角三棱镜组以及光路遮挡片组，其中，

所述反射镜组包括第一反射镜、第二反射镜和第三反射镜，所述第一反射镜与所述待检测芯片的前腔面对向设置，所述第二反射镜与所述显微成像模块的镜头对向设置，所述第三反射镜与所述第一反射镜之间成90°夹角设置，且与所述第二反射镜平行设置；

所述直角三棱镜组包括第一直角三棱镜和第二直角三棱镜，所述第一直角三棱镜和所述第二直角三棱镜两者的斜面对向平行设置，且两者的侧面均有一条直角边与水平面平行，且所述直角三棱镜组设置在所述第二反射镜和所述第三反射镜之间；

所述第一荧光依次经所述第二直角三棱镜和所述第二反射镜进入所述显微成像模块，所述第二荧光依次经所述第一反射镜、所述第三反射镜、所述第一直角三棱镜、所述第二直角三棱镜和所述第二反射镜进入所述显微成像模块；

所述光路遮挡片组包括第一遮挡片和第二遮挡片，所述第一遮挡片位于所述第一反射镜和所述第三反射镜之间，用于通过调整位置切断所述第一荧光传递至所述显微成像模块的光路，所述第二遮挡片位于所述待检测芯片和所述第二直角三棱镜之间，用于通过调整位置切断所述第二荧光传递至所述显微成像模块的光路。

2.根据权利要求1所述装置，其特征在于，所述装置还包括真空模块，所述真空模块包括真空泵和真空管道，所述装载台的上底面上方的金属接触层开设真空吸附孔，所述真空吸附孔通过所述装载台内部开设的管道与所述真空管道连接，所述真空吸附孔用于通过所述真空模块将覆盖在其上的待检测芯片固定在所述装载台上。

3.根据权利要求1所述装置，其特征在于，所述显微成像模块和所述第二反射镜之间设置有衰减片组和滤波片组；其中，

所述衰减片组用于在所述第一荧光和所述第二荧光进入所述显微成像模块之前，对所述第一荧光和所述第二荧光进行衰减处理；

所述滤波片组用于在所述第一荧光和所述第二荧光进入所述显微成像模块之前，对所述第一荧光和所述第二荧光进行滤波处理。

4.根据权利要求1所述装置，其特征在于，所述激光打标模块包括激光打标器、扩束镜组和聚焦镜组；其中，

所述激光打标器用于通过发出激光对所述待检测芯片的有源区失效区域正上方的p面区域进行打标；

所述扩束镜组和所述聚焦镜组用于对所述激光打标器发出的激光的光斑大小进行调节。

5.根据权利要求1所述装置，其特征在于，所述装置还包括参数测量模块，所述参数测量模块与所述待检测芯片的前腔面对向设置，且所述第一反射镜位于所述参数测量模块与所述待检测芯片的前腔面之间；

相应地，所述芯片装载模块中的所述底座设置有圆形刻度盘，所述装载台上设置有刻度指针，且所述装载台与所述底座可相对运动，所述相对运动包括：所述装载台垂直所述底座的上底面做直线运动，所述装载台在所述底座的上底面绕所述上底面的中心转动，或所述装载台在所述底座的上底面平行于所述上底面的棱边做直线运动；

所述参数测量模块包括光谱仪、功率计和标尺；其中，所述光谱仪用于测量所述待检测芯片发出激光的波长，所述功率计和所述标尺用于测量所述待检测芯片发出激光的快慢轴发散角。