[发明专利]背光模组及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种背光模组及液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display,简称LCD)，属于平面显示器的一种，广泛应用于电视机、计算机、智能电话、手机、汽车导航装置、电子书等产品中。液晶显示装置具有耗电量低、体积小、辐射低的优点逐渐取代阴极射线管(CathodeRayTube,简称CRT)显示装置。

目前为了提高液晶显示器的显示的色域，一般采用高色域的发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，该LED一般由蓝光芯片和/或紫外光芯片构成，还可以采用量子点(Quantum Dot,QD)作为背光模组的一部分来提高色域。而QD作为背光模组的一部分通常采用量子灯管(QD tube)、量子点膜(QDfilm)或者量子发光二极管(QD-LED)等。其中QD film由于具有技术相对成熟、厚度较低等优势成为小尺寸高色域显示面板的优选。

在目前的现有技术中，通常独立的多个蓝光芯片、紫外芯片或其组合，配合量子点作为LED背光模组，该实现方式成本高面积大，不利于液晶显示装置向低成本以及超薄方向的发展，降低厂商的市场竞争力以及占有率。

发明内容

为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本发明提出一种背光模组及液晶显示装置。该背光模组包括依次层叠设置LED光源310、第一保护层320、量子点发光层330、介质层340及金属线栅层350。

在本发明的一个实施例中，所述LED光源310为双色LED芯片。

在本发明的一个实施例中，所述双色LED芯片包括衬底层11、蓝光结构、绿光结构、上电极21和下电极22；其中，

所述蓝光结构位于所述衬底层11上，所述绿光结构嵌入所述蓝光结构内，所述上电极21分别位于所述蓝光结构和所述绿光结构上，所述下电极22位于所述蓝光结构上。

在本发明的一个实施例中，所述蓝光结构包括第一GaN缓冲层101、第一GaN稳定层102、第一n型GaN层103、第一有源层104、第一p型AlGaN阻挡层105、第一p型GaN层106，其中，

所述第一GaN缓冲层101、所述第一GaN稳定层102、所述第一n型GaN层103、所述第一有源层104、所述第一p型AlGaN阻挡层105、所述第一p型GaN层106依次层叠设置于所述衬底层11上。

在本发明的一个实施例中，所述绿光结构包括第二GaN缓冲层201、第二GaN稳定层202、第二n型GaN层203、第二有源层204、第二p型AlGaN阻挡层205、第二p型GaN层206、SiO₂隔离层12，其中，

所述第二GaN缓冲层201的底部位于所述第一GaN稳定层102内，所述第二GaN稳定层202、所述第二n型GaN层203、所述第二有源层204、所述第二p型AlGaN阻挡层205、所述第二p型GaN层206依次层叠设置于所述第二GaN缓冲层201上；

以出光方向为向上方向，所述SiO₂隔离层12位于所述第二GaN缓冲层201、所述第二GaN稳定层202、所述第二n型GaN层203、所述第二有源层204、所述第二p型AlGaN阻挡层205、所述第二p型GaN层206四周且所述SiO₂隔离层12底部位于所述第一GaN稳定层102内。

在本发明的一个实施例中，所述量子点发光层330为红光量子点发光层。

在本发明的一个实施例中，所述介质层340为透明介质层且为SiO₂、MgO、Si₃N₄、TiO₂、Ta₂O₅中的任意一种或者多种。

在本发明的一个实施例中，所述金属线栅层350包括多个金属线351，其中，所述金属线351的周期为20～500nm，高度为100～500nm。

在本发明的一个实施例中，所述金属线栅层350包括Al、Ag、Au金属中的任意一个或者多个。

本发明的又一个实施例提出的一种液晶显示装置，包括第一电极板42、液晶分子层43、第二电极板44、彩色光阻层45、上基板层46以及偏光片47，还包括由上述任一实施例所述的背光模组41。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

1.本发明提出的背光模组将蓝光光源以及绿光光光源集成到一个双色LED芯片中，减小LED光源的面积，集成度高成本低；