[发明专利]背光模组及液晶显示装置

权利要求书

1.一种背光模组，其特征在于，包括依次层叠设置LED光源(310)、第一保护层(320)、量子点发光层(330)、介质层(340)及金属线栅层(350)。

2.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述LED光源(310)为双色LED芯片。

3.根据权利要求2所述的背光模组，其特征在于，所述双色LED芯片包括衬底层(11)、蓝光结构、绿光结构、上电极(21)和下电极(22)；其中，

所述蓝光结构位于所述衬底层(11)上，所述绿光结构嵌入所述蓝光结构内，所述上电极(21)分别位于所述蓝光结构和所述绿光结构上，所述下电极(22)位于所述蓝光结构上。

4.根据权利要求3所述的背光模组，其特征在于，所述蓝光结构包括第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n型GaN层(103)、第一有源层(104)、第一p型AlGaN阻挡层(105)、第一p型GaN层(106)，其中，

所述第一GaN缓冲层(101)、所述第一GaN稳定层(102)、所述第一n型GaN层(103)、所述第一有源层(104)、所述第一p型AlGaN阻挡层(105)、所述第一p型GaN层(106)依次层叠设置于所述衬底层(11)上。

5.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述绿光结构包括第二GaN缓冲层(201)、第二GaN稳定层(202)、第二n型GaN层(203)、第二有源层(204)、第二p型AlGaN阻挡层(205)、第二p型GaN层(206)、SiO₂隔离层(12)，其中，

所述第二GaN缓冲层(201)的底部位于所述第一GaN稳定层(102)内，所述第二GaN稳定层(202)、所述第二n型GaN层(203)、所述第二有源层(204)、所述第二p型AlGaN阻挡层(205)、所述第二p型GaN层(206)依次层叠设置于所述第二GaN缓冲层(201)上；

以出光方向为向上方向，所述SiO₂隔离层(12)位于所述第二GaN缓冲层(201)、所述第二GaN稳定层(202)、所述第二n型GaN层(203)、所述第二有源层(204)、所述第二p型AlGaN阻挡层(205)、所述第二p型GaN层(206)四周且所述SiO₂隔离层(12)底部位于所述第一GaN稳定层(102)内。

6.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述量子点发光层(330)为红光量子点发光层。

7.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述介质层(340)为透明介质层且为SiO₂、MgO、Si₃N₄、TiO₂、Ta₂O₅中的任意一种或者多种。

8.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述金属线栅层(350)包括多个金属线(351)，其中，所述金属线(351)的周期为20～500nm，高度为100～500nm。

9.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述金属线栅层350包括Al、Ag、Au金属中的任意一个或者多个。

10.一种液晶显示装置，包括第一电极板(42)、液晶分子层(43)、第二电极板(44)、彩色光阻层(45)、上基板层(46)以及偏光片(47)，其特征在于还包括由权利要求1～9任一权利要求所述的背光模组(41)。