[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括栅极区和位于所述栅极区两侧的源漏区，所述衬底上具有平行排列的第一鳍部和第二鳍部，所述第二鳍部位于所述第一鳍部两侧，所述第一鳍部和第二鳍部分别自栅极区一侧的源漏区贯穿至另一侧的源漏区；

在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述第一鳍部和第二鳍部部分侧壁，所述隔离结构表面低于所述第一鳍部顶部表面，且所述隔离结构表面低于所述第二鳍部顶部表面；

形成所述隔离结构之后，去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部；

去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部之后，形成横跨所述栅极区第一鳍部的栅极，所述栅极覆盖所述第一鳍部部分侧壁和部分顶部表面；

在所述栅极两侧的第一鳍部中形成源漏掺杂层；

形成所述隔离结构之后，还包括：去除所述隔离结构中的部分或全部第二鳍部，在所述隔离结构中形成隔离开口；在所述隔离开口中形成隔离层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述栅极区第二鳍部之前，还包括：形成横跨所述栅极区第一鳍部和栅极区第二鳍部的伪栅结构，所述伪栅极结构覆盖所述第一鳍部部分侧壁和顶部表面以及所述栅极区第二鳍部侧壁和顶部表面；在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述伪栅极结构侧壁；去除所述伪栅极结构，在所述第一介质层中形成栅极开口；所述栅极位于所述栅极开口中。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极开口之后，形成所述栅极之前，去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部之前，还包括：在所述栅极开口底部形成栅介质层，所述栅介质层覆盖所述第一鳍部部分侧壁和顶部表面，以及所述第二鳍部部分顶部和侧壁；在所述栅介质层上形成覆盖层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅介质层和覆盖层之后，去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部；去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部之前，所述形成方法还包括：去除所述第二鳍部侧壁和顶部的覆盖层；去除所述第二鳍部侧壁和顶部的覆盖层之后，去除所述第二鳍部侧壁和顶部的栅介质层；

或者，去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部之后，形成所述栅介质层和覆盖层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当形成所述栅介质层和覆盖层之后，去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部时；所述形成方法还包括：去除所述栅极区第二鳍部之前，在所述覆盖层上形成阻挡层；去除所述第二鳍部侧壁和顶部的覆盖层之前，去除所述第二鳍部顶部和侧壁的阻挡层；去除所述栅极区第二鳍部之后，形成栅极之前，去除所述第一鳍部侧壁和顶部的阻挡层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为非晶硅、非晶锗、非晶硅锗、无定型碳或氮化硅。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为20埃～100埃。

9.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述栅极区第二鳍部的步骤包括：在所述栅极开口中形成覆盖所述第一鳍部侧壁和顶部的图形层；以所述第一介质层和所述图形层为掩膜对所述第二鳍部进行刻蚀，去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部。

10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅极结构之前，去除所述隔离结构暴露出的栅极区第二鳍部。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏掺杂层还位于所述源漏区第二鳍部中，相邻的第一鳍部和第二鳍部的相邻源漏掺杂层相互接触。