[发明专利]影像传感芯片的封装结构及其制作方法

说明书

本发明揭示了一种影像传感芯片的封装结构，包括硅基底，所述硅基底具有第一面和与第一面相对的第二面；互连层，设置于所述硅基底的第一面，所述互连层上设有感应区以及与所述感应区电耦合的焊垫；光学涂层，至少完全覆盖所述感应区，所述光学涂层的折射率小于或者等于1.4；透光基板，通过粘合剂至少与所述光学涂层粘接。本发明的影像传感芯片的封装结构能够提高芯片利用率，并且工艺稳定和可靠性高。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种影像传感芯片的封装结构及其制作方法。

背景技术

随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。随着芯片制造工艺和成像专用工艺的不断进步，促进了采用前面照度(FSI)技术的影像传感器的开发。FSI影像传感器如同人眼一样，光落在芯片的前面，然后通过读取电路和互连，最后被汇聚到光感应区中。FSI技术为目前影像传感器所采用的主流技术，具有已获证实的大批量生产能力、高可靠性和高良率以及颇具吸引力的性价比等优势，大大推动了其在手机、笔记本电脑、数码摄像机和数码相机等众多领域的应用。

目前，现有技术需要做CV墙，因CV墙有宽度要求，就限制了感应区域到封装芯片的边缘要有一定的距离，限制了感应区域的面积，同时还会给感应区域引入粉尘，影像感应区域的性能。

为此，仍需对现有技术进行改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种影像传感芯片的封装结构，该晶元的封装结构制造容易，芯片利用率高。

本发明的目的还在于提供一种影像传感芯片的封装结构的制作方法，该晶元的封装结构的制作方法制作效率高，而且工艺简单，能够提高芯片的利用率。

为实现上述发明目的，本发明揭示了一种影像传感芯片的封装结构，包括：

硅基底，所述硅基底具有第一面和与第一面相对的第二面；

互连层，设置于所述硅基底的第一面，所述互连层上设有感应区以及与所述感应区电耦合的焊垫；

光学涂层，至少完全覆盖所述感应区，所述光学涂层的折射率小于或者等于1.4；

透光基板，通过粘合剂至少与所述光学涂层粘接。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述光学涂层仅完全覆盖所述感应区，并且所述光学涂层的形状与所述感应区匹配，所述粘合剂粘接在所述光学涂层与透光基板之间以及未被所述光学涂层覆盖的互连层与透光基板之间。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述光学涂层完全覆盖所述感应区以及所述互连层，所述粘合剂粘接在光学涂层和透光基板之间。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述硅基底的第二面设置有贯穿所述硅基底的过孔，所述过孔用于露出所述焊垫，所述过孔构造为倒梯形，所述感应区的边缘距离所述焊垫的距离小于或者等于100微米。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述硅基底的第二面设置有贯穿所述硅基底的过孔，所述过孔用于露出所述焊垫，所述过孔构造为直孔，所述感应区的边缘与所述焊垫的边缘邻接。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述光学涂层的折射率小于或者等于1.2。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述光学涂层的厚度在1-2微米之间，所述粘合剂的厚度在20-60微米之间，所述透光基板的厚度在100-300微米之间。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述透光基板构造为玻璃基板，所述粘合剂的透光率大于或者等于60％。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述粘合剂的透光率大于或者等于75％。