[发明专利]影像传感芯片的封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种影像传感芯片的封装结构，其特征在于，包括：

硅基底，所述硅基底具有第一面和与第一面相对的第二面；

互连层，设置于所述硅基底的第一面，所述互连层上设有感应区以及与所述感应区电耦合的焊垫；

光学涂层，至少完全覆盖所述感应区，所述光学涂层的折射率小于或者等于1.4，所述光学涂层的厚度在1-2微米之间；

透光基板，通过粘合剂至少与所述光学涂层粘接，所述光学涂层仅完全覆盖所述感应区，并且所述光学涂层的形状与所述感应区匹配，所述粘合剂粘接在所述光学涂层与透光基板之间以及未被所述光学涂层覆盖的互连层与透光基板之间。

2.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述硅基底的第二面设置有贯穿所述硅基底的过孔，所述过孔用于露出所述焊垫，所述过孔构造为倒梯形，所述感应区的边缘距离所述焊垫的距离小于或者等于100微米。

3.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述硅基底的第二面设置有贯穿所述硅基底的过孔，所述过孔用于露出所述焊垫，所述过孔构造为直孔，所述感应区的边缘与所述焊垫的边缘邻接。

4.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述光学涂层的折射率小于或者等于1.2。

5.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述光学涂层的厚度在1-2微米之间，所述粘合剂的厚度在20-60微米之间，所述透光基板的厚度在100-300微米之间。

6.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述透光基板构造为玻璃基板，所述粘合剂的透光率大于或者等于60％。

7.根据权利要求6所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述粘合剂的透光率大于或者等于75％。

8.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括再布线层和电连接端子，所述再布线层设置于所述硅基底的第二面的上部，所述电连接端子设置在所述再布线层，所述电连接端子与所述再布线层电连接，且用于与外部电路电连接。

9.一种影像传感芯片的封装结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

提供一片硅基底，所述硅基底包括第一面和与第一面相对的第二面，在所述硅基底的第一面制作互连层，以及位于所述互连层上的多个感应区和多个与感应区电耦合的焊垫；

至少在所述互连层上涂布完全覆盖所述感应区的光学涂层，所述光学涂层的折射率小于或者等于1.4，所述光学涂层的厚度在1-2微米之间；

通过使用粘合剂将透光基板至少与光学涂层粘接，涂布光学涂层仅完全覆盖所述感应区，将粘合剂粘接在所述光学涂层与透光基板之间以及所述互连层与透光基板之间。

10.一种如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，使用的粘合剂的透光率大于或者等于60％。

11.一种如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在硅基底的第二面上形成至少用于电气连接焊垫的再布线层；在所述再布线层上形成电连接端子。

12.一种如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，通过第一切刀对形成的影像传感芯片的封装结构进行第一次切割，分离相邻的传感器的互连层；通过第二切刀对影像传感芯片的封装结构进行第二次切割，以获得多个独立的传感器；其中，所述第一切刀硬度大于所述第二切刀。