[发明专利]封装方法及显示屏有效
| 申请号: | 201711484224.4 | 申请日: | 2017-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN108206245B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
| 发明(设计)人: | 刘世奇;铃木浩司;任思雨;苏君海;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/15 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 叶剑 |
| 地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 组合结构 绝缘 封装 金属 绝缘层 显示屏 干法刻蚀工艺 第一金属层 成像工艺 烧结材料 网格通孔 刻蚀 制备 图案 半导体膜层 层间绝缘层 防分离结构 矩阵式分布 侧壁凹槽 缓冲层膜 金属膜层 使用寿命 凸台结构 第三层 第一层 刻蚀层 嵌入式 烧结层 高粘 基板 抗湿 粘接 成型 保证 | ||
1.一种封装方法,其特征在于,包括:
将缓冲层膜层和半导体膜层成型于基板上;
制备第一金属绝缘组合结构层,其中所述第一金属绝缘组合结构层包括第一层间绝缘层和第一金属膜层;
采用成像工艺和干法刻蚀工艺对所述第一金属绝缘组合结构层进行刻蚀,以形成第一金属层图案,所述第一金属层图案具有多个网格通孔,多个所述网格通孔呈矩阵式分布;
制备第二金属绝缘组合结构层,其中所述第二金属绝缘组合结构层包括第二层间绝缘层和第二金属膜层,所述第二金属膜层成型于所述第二层间绝缘层,所述第二层间绝缘层包括至少一层抗湿液刻蚀层;
采用成像工艺和干法刻蚀工艺对所述第二金属绝缘组合结构层进行刻蚀,以去除与所述第一金属层图案对应的所述第二金属膜层;
在所述第二金属绝缘组合结构层上制备第三层间绝缘层,所述第三层间绝缘层包括至少一层抗湿液刻蚀层;
制备金属缓冲层图案,其中采用成像工艺和干法刻蚀工艺在所述第三层间绝缘层上制备多个凸台结构,多个所述凸台结构形成凹凸区域,以去除第一金属层图案上对应于封装区域的第三层间绝缘层;采用湿法刻蚀工艺在所述第三层间绝缘层上进行侧向刻蚀,以形成侧壁凹槽;所述金属缓冲层图案具有置空区域和两个未置空区域,所述置空区域将两个所述未置空区域隔开;
于所述基板上涂布烧结层;以及
将盖板封装于所述基板上。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,多个所述凸台结构间隔分布。
3.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,每个所述凸台结构的横截面呈梯形状。
4.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述第二层间绝缘层为单层膜质结构层,所述单层膜质结构层的材料为抗湿刻液材质,使得所述第二层间绝缘层包括至少一层抗湿液刻蚀层。
5.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述第二层间绝缘层为叠层膜质结构层,所述叠层膜质结构层包括至少两层膜质结构层,其中一层膜质结构层为抗湿液刻蚀层。
6.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述第三层间绝缘层为叠层膜质结构层,所述叠层膜质结构层包括至少两层膜质结构层,其中一层膜质结构层为抗湿液刻蚀层。
7.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀液包括但不仅限于氢氟酸。
8.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述凹凸区域的横截面呈锯齿状。
9.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,在于所述基板上涂布烧结层之前,以及在制备金属缓冲层图案之后,还包括步骤:
对发光材料进行蒸镀。
10.一种显示屏,其特征在于,采用权利要求1至9中任一项所述封装方法进行封装制造。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





