[发明专利]OLED显示器件及制备方法在审
申请号: | 201711482900.4 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108231841A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 何超 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 第一电极 像素区域 发光件 限定层 有效区 周边区 绝缘 发光 第二电极 器件制备 内侧壁 覆盖 制备 | ||
本发明提供了一种OLED显示器件,包括:基板,所述基板上定义有多个像素区域,每个所述像素区域定义有一发光有效区及一周边区;绝缘限定层,形成于所述基板的所述周边区;第一电极,形成于所述基板的所述发光有效区及所述绝缘限定层的内侧壁;发光件层,覆盖于所述第一电极的表面;及第二电极,覆盖于所述发光件层远离所述第一电极的一侧。还提供一种OLED显示器件制备方法。
技术领域
本发明涉及电子设备技术领域,尤其涉及一种OLED显示器件及制备方法。
背景技术
有机电激光显示(Organic Light-Emitting Diode,OLED)是下一代新型显示技术和照明技术,应用前景巨大。然而,现有的OLED显示器件有甚至高达80%的光子不能逸出,从而导致OLED显示器件的发光效率较低,整体功耗很高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光效率较高的OLED显示器件及制备方法。
一种OLED显示器件,包括:基板,所述基板上定义有多个像素区域,每个所述像素区域定义有一发光有效区及一周边区;绝缘限定层,形成于所述基板的所述周边区;第一电极,形成于所述基板的所述发光有效区及所述绝缘限定层的内侧壁;发光件层,覆盖于所述第一电极的表面;及第二电极,覆盖于所述发光件层远离所述第一电极的一侧。
一种OLED显示器件的制备方法,包括步骤:提供一基板,所述基板上定义有多个像素区域,每个所述像素区域定义有一发光有效区及一周边区;在所述基板的所述周边区形成一绝缘限定层;在所述基板的所述发光有效区及所述绝缘限定层的内侧壁形成一第一电极;在所述第一电极的表面形成一发光件层;及在所述发光件层远离所述第一电极的一侧形成第二电极。
本发明提供的OLED显示器件及制备方法,大部分光线可以直接出射或经过所述绝缘限定层的反射后出射,光线的损耗较小,发光效率较高,能耗较低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的基板的剖面示意图。
图2是本发明实施例提供的在图1的基板上形成绝缘限定层后的结构示意图。
图3是本发明实施例提供的在图2的基板上形成第一电极后的结构示意图。
图4是本发明实施例提供的在图3的基板上形成发光体后的结构示意图。
图5是本发明实施例提供的在图4的发光体上形成第二电极后的结构示意图。
图6是本发明实施例提供的在图5第二电极上形成封装盖板,从而得到OLED显示器件的结构示意图。
图6a是本发明实施例提供的贴覆微阵列的方式形成的封装盖板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参考图1至图5。图1至图5是本发明的一较佳实施例的制作OLED显示器件的方法示意图。
如图1所示,首先,提供一基板10。
其中,所述基板10可以为玻璃基板;在所述基板10上定义有多个像素区域101(图中仅示出一个),每个所述像素区域101均包括有一发光有效区102及环绕所述发光有效区102的周边区103。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的