[发明专利]OLED显示器件及制备方法在审

专利信息
申请号: 201711482900.4 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108231841A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 何超 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基板 第一电极 像素区域 发光件 限定层 有效区 周边区 绝缘 发光 第二电极 器件制备 内侧壁 覆盖 制备
【权利要求书】:

1.一种OLED显示器件,包括:

基板,所述基板上定义有多个像素区域,每个所述像素区域定义有一发光有效区及一周边区;

绝缘限定层,形成于所述基板的所述周边区;

第一电极,形成于所述基板的所述发光有效区及所述绝缘限定层的内侧壁;

发光件层,覆盖于所述第一电极的表面;及

第二电极,覆盖于所述发光件层远离所述第一电极的一侧。

2.如权利要求1所述的OLED显示器件,其特征在于,所述绝缘限定层的材质为选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种;所述绝缘限定层的横截面面积朝向远离所述基板的方向逐渐减小,所述绝缘限定层的纵截面为倒梯形或圆弧形;所述绝缘限定层的内侧壁与所述发光有效区对应的所述基板合围形成一第一凹槽,所述第一电极即形成于所述第一凹槽的内壁。

3.如权利要求1所述的OLED显示器件,其特征在于,所述第一电极为反射电极,所述第一电极的材质为铝、镁、银、钙或其合金,每个所述像素区域对应的所述第一电极合围形成一第二凹槽,所述第一凹槽的纵截面为倒梯形或弧形;所述第二电极为透明电极,所述第二电极的材质为镁、银、碳纳米管、氧化铟锌或氧化铟锑,每个所述像素区域对应的所述第二电极合围形成一第四凹槽,所述第四凹槽的纵截面为倒梯形或弧形。

4.如权利要求1所述的OLED显示器件,其特征在于,所述发光件层完全覆盖所述第一电极,所述发光件层的覆盖面积大于所述第一电极的覆盖面积。

5.如权利要求1所述的OLED显示器件,其特征在于,还包括封装盖板,所述封装盖板覆盖于所述第二电极上,所述封装盖板包括有多个凹透镜,每个所述凹透镜对应一所述像素区域的所述发光有效区。

6.一种OLED显示器件的制备方法,包括步骤:

提供一基板,所述基板上定义有多个像素区域,每个所述像素区域定义有一发光有效区及一周边区;

在所述基板的所述周边区形成一绝缘限定层;

在所述基板的所述发光有效区及所述绝缘限定层的内侧壁形成一第一电极;

在所述第一电极的表面形成一发光件层;及

在所述发光件层远离所述第一电极的一侧形成第二电极。

7.如权利要求6所述的OLED显示器件的制备方法,其特征在于,通过化学气相沉积的方式形成所述绝缘限定层;或,通过涂覆、曝光及显影光阻的方式形成所述绝缘限定层。

8.如权利要求6所述的OLED显示器件的制备方法,其特征在于,还包括步骤:在所述所述第二电极上覆盖一封装盖板,所述封装盖板包括有多个凹透镜,所述多个凹透镜形成凹透镜阵列;每个所述凹透镜对应一所述像素区域的所述发光有效区。

9.如权利要求8所述的OLED显示器件的制备方法,其特征在于,在所述第二电极上覆盖所述封装盖板前,还包括步骤:在一板体上形成所述多个凹透镜,得到所述封装盖板;其中,在所述板体上形成所述多个凹透镜的方法为:直接通过蚀刻工艺蚀刻所述板体形成所述多个凹透镜,或,通过在板体上贴覆微阵列从而在所述板体形成所述多个凹透镜。

10.如权利要求6所述的OLED显示器件的制备方法,其特征在于,所述绝缘限定层的横截面面积朝向远离所述基板的方向逐渐减小,所述绝缘限定层的纵截面为倒梯形或圆弧形;所述绝缘限定层的内侧壁与所述发光有效区对应的所述基板合围形成一第一凹槽,所述第一电极即形成于所述第一凹槽的内壁。

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