[发明专利]液处理装置和液处理方法

说明书

本发明提供一种能够以简单的结构在基板的中心位置和外周位置实现与位置相应的液处理的液处理装置和液处理方法。液处理装置具备：保持机构，其保持基板；旋转机构，其使被保持机构保持的基板旋转；喷嘴，其配置为与基板的面相向；以及第一供给路和第二供给路，该第一供给路和第二供给路连接于喷嘴。喷嘴具有：共通流路，其沿从基板的中心部朝向周缘部的径向延伸；以及多个喷出口，该多个喷出口连接于共通流路，沿径向配置。第一供给路连接于共通流路中的基板周缘部侧，将第一液供给到共通流路。第二供给路连接于共通流路中的基板中心部侧，将第二液供给到共通流路。第一供给路与第二供给路经由共通流路相连通。

技术领域

本发明涉及一种对基板提供液体的液处理装置和液处理方法。

背景技术

以往，在半导体器件的制造工序中，进行对硅晶圆、化合物半导体晶圆等基板供给药液的处理。

例如在专利文献1中公开了如下一种技术：在使喷嘴位于旋转的基板的中心部之后，从该喷嘴对旋转的基板供给HF(氟化氢)等蚀刻液，由此蚀刻去除基板上形成的硅膜。

专利文献1：日本特表2010-528470号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述的以往技术中，在提高基板处理的面内均匀性这方面被要求进一步的改进。例如，在上述的以往技术中，被供给到基板的中心部的蚀刻液在到达基板的外周部之前温度下降，因此基板的外周部处的蚀刻速率比中心部处的蚀刻速率小。

本发明是鉴于上述的情况而完成的，其目的是提供一种能够以简单的结构在基板的中心位置和外周位置实现与位置相应的液处理的液处理装置和液处理方法。

用于解决问题的方案

本发明的一个方式涉及一种液处理装置，其具备：保持机构，其保持基板；旋转机构，其使被保持机构保持的基板旋转；喷嘴，其配置为与基板的面相向；以及第一供给路和第二供给路，该第一供给路和第二供给路连接于喷嘴，其中，喷嘴具有：共通流路，其沿从基板的中心部朝向周缘部的径向延伸；以及多个喷出口，该多个喷出口连接于共通流路，沿径向配置，第一供给路连接于共通流路中的基板的周缘部侧，将第一液供给到共通流路，第二供给路连接于共通流路中的基板的中心部侧，将温度和浓度中的至少任一方与第一液不同的第二液供给到共通流路，第一供给路与第二供给路经由共通流路相连通。

本发明的其它方式涉及一种液处理方法，其使用液处理装置，该液处理装置具备：保持机构，其保持基板；旋转机构，其使被保持机构保持的基板旋转；喷嘴，其配置为与基板的面相向；以及第一供给路和第二供给路，该第一供给路和第二供给路连接于喷嘴，其中，喷嘴具有：共通流路，其沿从基板的中心部朝向周缘部的径向延伸；以及多个喷出口，该多个喷出口连接于共通流路，沿径向配置，第一供给路连接于共通流路中的基板的周缘部侧，第二供给路连接于共通流路中的基板的中心部侧，第一供给路与第二供给路经由共通流路相连通，所述液处理方法包括如下步骤：从第一供给路向共通流路供给第一蚀刻液，并且从第二供给路向共通流路供给温度比第一蚀刻液的温度低的第二蚀刻液。

本发明的其它方式涉及一种液处理方法，其使用液处理装置，该液处理装置具备：保持机构，其保持基板；旋转机构，其使被保持机构保持的基板旋转；喷嘴，其配置为与基板的面相向；以及第一供给路和第二供给路，该第一供给路和第二供给路连接于喷嘴，其中，喷嘴具有：共通流路，其沿从基板的中心部朝向周缘部的径向延伸；以及多个喷出口，该多个喷出口连接于共通流路，沿径向配置，第一供给路连接于共通流路中的基板的周缘部侧，第二供给路连接于共通流路中的基板的中心部侧，第一供给路和第二供给路经由共通流路相连通，所述液处理法方法包括如下步骤：从第一供给路向共通流路供给第一蚀刻液，并且从第二供给路向共通流路供给浓度比第一蚀刻液的浓度低的第二蚀刻液。