[发明专利]液处理装置和液处理方法在审
申请号: | 201711481918.2 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108269751A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 竹口博史;脇山辉史;伊藤规宏 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 共通流路 供给路 基板 液处理装置 喷嘴 液处理 喷出口 基板中心部 基板周缘部 基板旋转 径向配置 径向延伸 外周位置 旋转机构 中心部 周缘部 配置 | ||
1.一种液处理装置,具备:
保持机构,其保持基板;
旋转机构,其使被所述保持机构保持的所述基板旋转;
喷嘴,其配置为与所述基板的面相向;以及
第一供给路和第二供给路,该第一供给路和第二供给路连接于所述喷嘴,
其中,所述喷嘴具有:共通流路,其沿从所述基板的中心部朝向周缘部的径向延伸;以及多个喷出口,该多个喷出口连接于所述共通流路,沿所述径向配置,
所述第一供给路连接于所述共通流路中的所述基板的周缘部侧,将第一液供给到所述共通流路,
所述第二供给路连接于所述共通流路中的所述基板的中心部侧,将温度和浓度中的至少任一方与所述第一液不同的第二液供给到所述共通流路,
所述第一供给路与所述第二供给路经由所述共通流路相连通。
2.根据权利要求1所述的液处理装置,其特征在于,
所述第一液的温度比所述第二液的温度高。
3.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
所述第一液和所述第二液包含相同溶质,
所述第一液的所述溶质的浓度比所述第二液的所述溶质的浓度高。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的液处理装置,其特征在于,
所述共通流路至少在所述多个喷出口的上方具有相同的横截面。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的液处理装置,其特征在于,
所述第一供给路和所述第二供给路连接于所述共通流路中的比所述多个喷出口的上方的流路靠外侧的流路。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的液处理装置,其特征在于,
所述第一供给路和所述第二供给路在以通过所述共通流路中的所述多个喷出口的上方的流路的中央的轴为对称轴的情况下呈线对称的位置处连接于所述共通流路。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的液处理装置,其特征在于,
还具备流量调整部,该流量调整部对从所述第一供给路向所述共通流路供给的所述第一液的流量与从所述第二供给路向所述共通流路供给的所述第二液的流量之间的流量差进行调整。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的液处理装置,其特征在于,
还具备温度调整部,该温度调整部对从所述第一供给路向所述共通流路供给的所述第一液的温度与从所述第二供给路向所述共通流路供给的所述第二液的温度之间的温度差进行调整。
9.一种液处理方法,其使用液处理装置,该液处理装置具备:保持机构,其保持基板;旋转机构,其使被所述保持机构保持的所述基板旋转;喷嘴,其配置为与所述基板的面相向;以及第一供给路和第二供给路,该第一供给路和第二供给路连接于所述喷嘴,其中,所述喷嘴具有:共通流路,其沿从所述基板的中心部朝向周缘部的径向延伸;以及多个喷出口,该多个喷出口连接于所述共通流路,沿所述径向配置,所述第一供给路连接于所述共通流路中的所述基板的周缘部侧,所述第二供给路连接于所述共通流路中的所述基板的中心部侧,所述第一供给路与所述第二供给路经由所述共通流路相连通,
所述液处理方法包括如下步骤:从所述第一供给路向所述共通流路供给第一蚀刻液,并且从所述第二供给路向所述共通流路供给温度比所述第一蚀刻液的温度低的第二蚀刻液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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