[发明专利]一种有软启动保护的稳压电路

权利要求书

1.一种有软启动保护的稳压电路，其特征在于，所述稳压电路包括误差放大器、输出级PMOS晶体管、电阻、电容、软启动保护电路和地线GND，其中，误差放大器输出电压VDD到地线GND，在电压端VDD到地线GND间有两个以上电阻串联，串联电阻中间取得采样电压VDET，误差放大器输出电压信号接电容的上极板和输出级PMOS晶体管的栅极，电容下极板接电压端VDD和输出级PMOS晶体管的漏极，输出级PMOS晶体管的源极接电源VCC，采样电压VDET和参考电压VREF分别接误差放大器的正负输入端，软启动保护电路接外部输入的上电检测复位信号，软启动保护电路的输出端与输出级PMOS晶体管的栅极相连接，软启动保护电路的电源与电源VCC相连接；

所述稳压电路工作时，上电检测复位信号初始电位为0V，在外部电压VCC上电达到上电检测复位信号的检测点电压时，上电检测复位信号在经过保持0V一段时间后，变为VCC电压，在上电检测复位信号为0V期间，软启动保护电路一直处于工作状态，并将误差放大器的输出点电压上拉到外部电压VCC值， 外部电压VCC快速上电过程中，输出级PMOS晶体管的栅极电压一直跟随外部电压VCC，输出级PMOS晶体管一直处于关断状态。

2.如权利要求1所述的有软启动保护的稳压电路，其特征在于，所述软启动保护电路包括第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三电阻、第二电容、第一反相器、第三PMOS晶体管、 第四PMOS晶体管和地线GND，其中，PMOS晶体管的栅极、漏极与NMOS晶体管的栅极、漏极，以及与PMOS晶体管的栅极连接，PMOS晶体管的漏极和第三电阻305上端、PMOS晶体管的栅极、以及第二电容的上极板连接；第四PMOS晶体管的栅极接上电检测复位信号、第一反相器的输入端，其源极和第三PMOS晶体管的漏极连接，其漏极接输出级PMOS管的栅极，第二NMOS晶体管的栅极接第一反相器的输出端，其漏极接NMOS晶体管源极，NMOS管栅极接第一反相器的输出端，漏极接第一NMOS晶体管的源极，电源VCC接第三PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一PMOS晶体管的源极，地线GND接第二电容的下极板、第三电阻的下端、第二NMOS晶体管的源极。