[发明专利]一种有软启动保护的稳压电路

说明书

本发明提供了一种有软启动保护的稳压电路包括误差放大器、输出级PMOS晶体管、电阻、电容、软启动保护电路和地线GND，软启动保护电路的开启和关闭只和上电检测复位信号有关，当上电检测复位信号时为复位状态时，软启动保护电路开启；当上电检测复位信号时为退出复位状态时，软启动保护电路关闭，因此本发明的有软启动保护的稳压电路能有效的避免外部电压VCC上电过程中VDD的充电过高的问题，并且，在芯片完成上电的稳定工作过程中，软启动保护电路不会对稳压电路的正常工作产生任何影响；而且在芯片完成上电的稳定工作过程中，软启动保护电路总功耗为0。

技术领域

本发明涉及模拟集成电路技术领域，尤其涉及一种稳压电路，具体为一种有软启动保护的稳压电路。

背景技术

集成电路的外部电源VCC范围很宽，而芯片内部大量的逻辑电路都是比较低。例如智能卡应用中外部电压范围是1.62~5.5V，而130nm工艺下逻辑电路的耐压只有1.6V左右。所以需要稳压电路把外部的电源VCC，稳定到一个较低的电压值VDD，防止逻辑电路出现高压击穿问题。当前技术的稳压电路，如图1所示，为现有的稳压电路结构图，在该稳压电路中，101是误差放大器，输出电压VDD到地线GND间有103电阻、104电阻串联一起，电阻103和电阻104中间取得采样电压VDET，误差放大器101输出信号VPG接电容105的上极板和输出级PMOS晶体管102的栅极，电容105下极板接VDD和输出级PMOS晶体管102的漏极，输出级PMOS晶体管102的源极接电源VCC，采样电压VDET和参考电压VREF分别接误差放大器101的正负输入端。在电源VCC从1.62~5.5V变化时，该稳压电路能输出稳定的电压VDD。

但是在电源VCC快速上电过程中，由于VPG上的电容值很大，且其初始电位是接近0V的电位，这样PMOS晶体管102处于完全开启状态，VDD的电位会瞬间充电到和VCC一样的电压，最大值为5.5V，如图2所示，为现有的稳压电路上电时电压波形图，此时芯片内部大量的逻辑电路很可能会造成击穿损坏。

发明内容

针对上述现有技术中存在的不足，本发明的目的是提供一种有软启动保护的稳压电路，以解决外部电压VCC快速上电过程中VDD充电过高的问题。

为了达到上述技术目的，本发明所采用的技术方案是：

一种有软启动保护的稳压电路包括误差放大器、输出级PMOS晶体管、电阻、电容、软启动保护电路和地线GND，其中，误差放大器输出电压VDD到地线GND，在电压端VDD到地线GND间有两个以上电阻串联，串联电阻中间取得采样电压VDET，误差放大器输出电压信号接电容的上极板和输出级PMOS晶体管的栅极，电容下极板接电压端VDD和输出级PMOS晶体管的漏极，输出级PMOS晶体管的源极接电源VCC，采样电压VDET和参考电压VREF分别接误差放大器的正负输入端，软启动保护电路接外部输入的上电检测复位信号，软启动保护电路的输出端与输出级PMOS晶体管的栅极相连接，软启动保护电路的电源与电源VCC相连接；

所述稳压电路工作时，上电检测复位信号初始电位为0V，在外部电压VCC上电达到上电检测复位信号的检测点电压时，上电检测复位信号在经过保持0V一段时间后，变为VCC电压，在上电检测复位信号为0V期间，软启动保护电路一直处于工作状态，并将误差放大器的输出点电压上拉到外部电压VCC值， 外部电压VCC快速上电过程中，输出级PMOS晶体管的栅极电压一直跟随外部电压VCC，输出级PMOS晶体管一直处于关断状态。