[发明专利]基板处理装置、使用其测量排出量的方法和基板处理方法有效
申请号: | 201711476724.3 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108269750B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 金载容;吴来泽;李泽烨 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01F1/00;B08B3/02 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 使用 测量 排出 方法 | ||
本发明涉及基板处理装置、使用其测量排出量的方法和基板处理方法。所述基板处理装置包括:壳体,其提供用于在其中执行基板处理工艺的空间;支撑单元,其在壳体内支撑基板并旋转基板;处理液喷嘴,其将处理液供应到位于支撑单元上的基板;和流量测量单元,其测量由处理液喷嘴排出的处理液的排出量,该流量测量单元包括:容器,其位于壳体的外部并具有容纳空间,容纳空间的上侧敞开并且在其内部容纳有从处理液喷嘴排出的处理液;测量构件,其被配置成测量容纳在容纳空间中的处理液的量;和排放管线,排放管线将容器中的处理液排出。
技术领域
本文描述的发明构思的实施方式涉及用于处理基板的装置和方法。
背景技术
基板表面上的污染物例如颗粒、有机污染物和金属污染物大大地影响半导体器件的特性和收率。由此,去除附着在基板表面的各种污染物的清洁工序非常重要,在半导体制造的单元工序前后进行清洁基板的工序。通常,基板清洁工序包括:使用诸如化学品等处理液除去残留在基板上的金属物质、有机物质及颗粒的化学处理工序;使用纯水除去残留在基板上的化学品的冲洗工序;和使用有机溶剂、超临界流体或氮气干燥基板的干燥工序。
为了精确处理基板,如在清洁工序中那样向基板供应化学品以处理基板的过程需要精确地调节排出液体的喷嘴的每单位时间排出量的过程。因此,用于向基板供应液体以处理基板的装置周期性地测量喷嘴的每单位时间排出量。
当测量喷嘴的每单位时间排出量时,操作者通过直接使用夹具盖和量筒来测量从喷嘴排出的液体的流量。此外,容纳在量筒中的液体不容易排出。因此,当使用的液体被分类为有毒物质时,操作过程复杂且操作暴露于危险之中。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了用于容易地测量喷嘴的排出量的装置和方法。
本发明构思的实施方式还提供了用于容易地排出用于测量喷嘴的排出量的液体的装置和方法。
本发明构思的实施方式还提供了用于防止操作者在测量喷嘴的排出量时暴露于危险的装置和方法。
本发明构思所要解决的问题不限于上述问题,并且本发明构思所属领域的技术人员将从说明书和附图中清楚地理解未提到的问题。
本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括:壳体,其提供用于在其中执行基板处理工艺的空间;支撑单元,其在壳体内支撑基板并旋转基板;处理液喷嘴,其将处理液供应到位于支撑单元上的基板;和流量测量单元,其测量由处理液喷嘴排出的处理液的排出量,该流量测量单元包括:容器,其位于壳体的外部并具有容纳空间,容纳空间的上侧敞开并且在其内部容纳有从处理液喷嘴排出的处理液;测量构件,其被配置成测量容纳在容纳空间中的处理液的量;和排放管线,排放管线将容器中的处理液排出。
测量构件可以包括:测量窗口,其设置在容器的侧壁的区域中,并且通过该测量窗口观察容纳在容纳空间中的处理液;和测量刻度,通过该测量刻度,在测量窗口中形成被容纳在容纳空间中的处理液的液位。
处理液喷嘴可以包括彼此独立移动的第一喷嘴和第二喷嘴,容器可以包括:具有主容纳空间的主容器,第一喷嘴将处理液排出到主容纳空间;和具有第一辅助容纳空间的第一辅助容器,第二喷嘴将处理液排出到第一辅助容纳空间;并且当俯视时,第一辅助容器的面积可以小于主容器的面积。
排出到第一辅助容器的处理液可以被引入到主容纳空间中,并且测量窗口可以被设置在主容器的侧壁中。
第一辅助容纳空间的深度可以小于主容纳空间的深度,第一辅助容纳空间可以与主容纳空间连通,并且第一辅助容纳空间的底表面可以沿面对主容纳空间的方向向下倾斜。
处理液喷嘴还可以包括独立移动的第三喷嘴,容器还可以包括第二辅助容器,第二辅助容器具有第二辅助容纳空间,第三喷嘴将处理液排出到第二辅助容纳空间,并且当俯视时,第二辅助容器的面积可以小于主容器的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造