[发明专利]基板处理装置、使用其测量排出量的方法和基板处理方法有效
申请号: | 201711476724.3 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108269750B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 金载容;吴来泽;李泽烨 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01F1/00;B08B3/02 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 使用 测量 排出 方法 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
壳体,所述壳体提供用于在其中执行基板处理工艺的空间;
支撑单元,所述支撑单元在所述壳体内支撑所述基板并旋转所述基板;
处理液喷嘴,所述处理液喷嘴将处理液供应到位于所述支撑单元上的基板;和
流量测量单元,所述流量测量单元测量由所述处理液喷嘴排出的处理液的排出量;
其中所述流量测量单元包括:
容器,所述容器位于所述壳体的外部并具有容纳空间,所述容纳空间的上侧敞开并且在所述容纳空间内部容纳有从所述处理液喷嘴排出的处理液;
测量构件,所述测量构件被配置成测量容纳在所述容纳空间中的所述处理液的量;和
排放管线,所述排放管线将所述容器中的处理液排出,
其中所述处理液喷嘴包括彼此独立移动的第一喷嘴和第二喷嘴,
其中所述容器包括:
主容器,所述主容器具有主容纳空间,所述第一喷嘴将处理液排出到所述主容纳空间;和
第一辅助容器,所述第一辅助容器具有第一辅助容纳空间,所述第二喷嘴将处理液排出到所述第一辅助容纳空间;
其中当俯视时,所述第一辅助容器的面积小于所述主容器的面积。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述测量构件包括:
测量窗口,所述测量窗口设置在所述容器的侧壁的一部分区域中,并且通过所述测量窗口来观察容纳在所述容纳空间中的处理液;以及
测量刻度,通过所述测量刻度在所述测量窗口中形成容纳在所述容纳空间中的处理液的液位。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,被排出到所述第一辅助容器的处理液被引入到所述主容纳空间中,并且
所述测量窗口设置在所述主容器的侧壁中。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,所述第一辅助容纳空间的深度小于所述主容纳空间的深度,所述第一辅助容纳空间与所述主容纳空间连通,并且所述第一辅助容纳空间的底表面沿面对所述主容纳空间的方向向下倾斜。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述处理液喷嘴还包括独立移动的第三喷嘴,
所述容器还包括:
具有第二辅助容纳空间的第二辅助容器,所述第三喷嘴将处理液排出到所述第二辅助容纳空间;
其中当俯视时,所述第二辅助容器的面积小于所述主容器的面积。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,所述第二辅助容纳空间的深度小于所述主容纳空间的深度,所述第二辅助容纳空间与所述主容纳空间连通,并且所述第二辅助容纳空间的底表面沿面对所述主容纳空间的方向向下倾斜。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,所述第一辅助容器和所述第二辅助容器相对于所述主容器设置在相对两侧。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,还包括:
多个备用端口,所述多个备用端口位于所述壳体的外部,供所述处理液喷嘴在其中就位,并且被配置为将所述处理液喷嘴所排出的处理液排出到外部;
其中所述备用端口中的至少一者被设置为所述流量测量单元。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中所述备用端口包括:
第一备用端口,所述第一备用端口将从所述第一喷嘴排出的处理液排出到外部;和
第二备用端口,所述第二备用端口将从所述第二喷嘴排出的处理液排出到外部,
其中所述第一备用端口被设置为所述流量测量单元,
其中所述第一辅助容器位于所述主容器和所述第二备用端口之间。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,
所述处理液喷嘴还包括独立移动的第三喷嘴,
所述容器还包括:
具有第二辅助容纳空间的第二辅助容器,所述第三喷嘴将处理液排出到所述第二辅助容纳空间;并且
其中当俯视时,所述第二辅助容器的面积小于所述主容器的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造