[发明专利]发光二极管及其制作方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，其中所述发光二极管包括：发光外延叠层，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有对相的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；金属反射层，形成于所述发光外延叠层的第二表面之上；保护层，形成于所述金属反射层的表面和侧壁上，其与所述金属反射层之间无间隙连接。

技术领域

本发明涉及半导体照明领域，具体的说是一种具有高反射镜面层的发光二极管及其制作方法。

背景技术

现有发光二极管之增光工艺，通常借由键合工艺在芯片外延层与吸光基板之间制作反射镜面，藉此避免芯片内发光被吸光基板吸收，并将其反射至出光面提升整体亮度。镜面材质通常选用对于该芯片波长具有高反射率之金属材料，如红光常用Au/Ag镜，蓝绿光常用Al/Ag镜。

发明内容

本发明提供了一种具有镜面结构的发光二极管及其制作方法，其具有高可靠性的镜面结构。

根据本发明的第一个方面，发光二极管，包括：发光外延叠层，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有对相的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；金属反射层，形成于所述发光外延叠层的第二表面之上；保护层，形成于所述金属反射层的表面和侧壁上，其与所述金属反射层之间无间隙连接。

优选地，所述金属反射层的侧壁与所述外延叠层的表面的夹角为30~85°。

在一些实施例中，所述发光外延叠层的第二表面与所述金属反射层之间依次设有：透光性介电层，位于所述发光外延叠层的第二表面上，其内部具有导电通孔；第一透明粘附层，位于所述透光性介电层之远离发光外延叠层的一侧表面上，并覆盖所述导电通孔的侧壁；第二透明粘附层，位于所述第一透明粘附层之远离所述透光性介电层的一侧表面上。

优选地，所述透光性介电层的厚度为50nm以上。

优选地，所述第一透明粘附层为透明绝缘粘附层，其覆盖所述透明性介电层之远离发光外延叠层的一侧表面。

优选地，所述第一透明粘附层的厚度为20nm以下。

优选地，所述第二透明粘附层为透明导电粘附层。

优选地，所述第二透明粘附层的厚度为10nm以下。

优选地，所述第一透明粘附层的厚度为透光性介电层厚度的1/10以下。

优选地，所述透光性介电层由多个子层构成，所述第一透明粘附层的厚度为所述透光性介电层的任意一子层厚度的1/5以下。

优选地，所述透光性介电层为氟化镁层，第一透明粘附层为氧化硅层，所述第二透明粘附层为ITO层，所述金属反射层为银反射层。

优选地，所述导电通孔内填充金属欧姆接触层，其远离所述外延叠层一侧的表面与所述第一透明粘附层齐平。

在一些实施例中，所述发光外延叠层的第二表面与所述反射层之间依次设有：透光性介电层，位于所述发光外延叠层的第二表面上，其内部具有导电通孔，至少包含第一层和第二层，其中第一层临近所述发光外延叠层，第二层远离所述发光外延叠层，其中所述第二层为薄层结构，其厚度为第一层的厚度的1/10以下，作为所述第一层的粘附层；透明导电粘附层，位于所述透光性介电层的第二子层的表面上。

优选地，所述第一层为多个子层构成，所述第二层的厚度为所述第一层的任意一子层厚度的1/5以下。

优选地，所述第一层的厚度为50nm以上。

优选地，所述第二层的厚度为20nm以下。

优选地，所述透明导电粘附的厚度为10nm以下。

优选地，所述第一层为氟化镁层，第二层为氧化硅层，所述透明导电粘附层为ITO层，所述金属反射层为银反射层。