[发明专利]发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.发光二极管，包括：

发光外延叠层，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；

金属反射层，形成于所述发光外延叠层的第二表面之上；

保护层，形成于所述金属反射层的表面和侧壁上，其与所述金属反射层之间无间隙连接；

所述发光外延叠层的第二表面与所述反射层之间依次设有：

透光性介电层，位于所述发光外延叠层的第二表面上，其内部具有导电通孔，至少包含第一层和第二层，其中第一层临近所述发光外延叠层，第二层远离所述发光外延叠层，其中所述第二层为薄层结构，其厚度为第一层的厚度的1/10以下，作为所述第一层的粘附层；

透明导电粘附层，位于所述透光性介电层的第二子层的表面上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述金属反射层的侧壁与所述外延叠层的表面的夹角为30~85°。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一层为多个子层构成，所述第二层的厚度为所述第一层的任意一子层厚度的1/5以下。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一层的厚度为50nm以上。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二层的厚度为20nm以下。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电粘附层的厚度为10nm以下。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一层为氟化镁层，第二层为氧化硅层，所述透明导电粘附层为ITO层，所述金属反射层为银反射层。

8.一种发光二极管的制作方法，包括步骤：

（1）提供一发光外延结构，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；

（2）在所述外延结构的第二表面上形成金属反射层；

（3）对所述金属反射层的边缘区域进行湿法蚀刻，使其呈现正梯形截面或矩形截面；

（4）在所述金属反射层上形成保护层，其同时覆盖所述金属反射层的上表面和侧壁，且与所述金属反射层之间无间隙连接；

其中，所述步骤（3）包含以下子步骤：

（31）对所述金属反射层边缘区域的表面进行预处理；

（32）在所述金属反射层上形成掩膜层，至少裸露出所述金属反射层部分经预处理的表面；

（33）对所述金属反射层进行蚀刻，其中经预处理的区域的蚀刻速率较大，经蚀刻后的所述金属反射层呈现正梯形截面或矩形截面。

9.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（31）中，所述预处理为氧化处理。

10.根据权利要求9所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（31）中，先在所述金属反射层的中间区域形成隔离层进行保护，然后对所述反射层的边缘区域的表面进行氧化处理。

11.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）中包含以下子步骤：

（21）在所述发光外延叠结构的第二表面形成透光性介电层，其内部具有导电通孔；

（22）在所述透光性介电层上形成第一透明粘附层，其同时覆盖所述透光性介电层的上表面和所述导电通孔的侧壁；

（23）在所述透光性介电层上形成第二透明粘附层；

（24）在所述第二透明粘附层上形成金属反射层；

其中所述第一透明粘附层的厚度为所述透光性介电层厚度的1/10以下。

12.一种发光二极管的制作方法，包括步骤：

（1）提供一发光外延结构，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有对相的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；

（2）在所述外延结构的第二表面上形成金属反射层；

（3）对所述金属反射层的边缘区域进行湿法蚀刻，使其呈现正梯形截面或矩形截面；

（4）在所述金属反射层上形成保护层，其同时覆盖所述金属反射层的上表面和侧壁，且与所述金属反射层之间无间隙连接；

其中，所述步骤（2）中包含以下子步骤：

（21）在所述发光外延叠结构的第二表面形成透光性介电层，其内部具有导电通孔，至少包含第一层和第二层，其中第一层临近所述发光外延叠层，第二层远离所述发光外延叠层，其中所述第二层为薄层结构，其厚度为第一层的厚度的1/10以下，作为所述第一层的粘附层；

（22）在所述透光性介电层上形成透明粘附层；

（23）在所述透明粘附层上形成金属反射层。