[发明专利]一种QLED器件

说明书

本发明公开一种QLED器件，包括阴极和阳极，设置在阴极和阳极之间的叠层，所述叠层由量子点发光层和复合功能层层叠形成；所述复合功能层包括聚合物和分散于所述聚合物中的钛酸盐纳米棒；其中，所述钛酸盐纳米棒相对于阳极和/或阴极所在平面垂直排列。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

在量子点发光二极管（QLED）和有机发光二极管（OLED）器件中，常将n型金属氧化物和有机材料分别作为电子传输层和空穴传输层来提高器件效率。氧化锌、二氧化钛等n型金属氧化物半导体的使用可以显著改善器件的电子注入。但由于Cd基量子点具有较深的价带能级，其对空穴注入具有一定的阻挡作用。此外，氧化锌、二氧化钛等电子传输材料的电子迁移率通常达到10^-3 cm²V^-1S^-1的数量级，超过大多数的有机空穴传输材料的迁移率。

此外，金属氧化物半导体纳米晶具有比较大的比表面积，其表面存在大量的缺陷，这些具有显著陷阱效应的缺陷能级会影响发光层载流子的复合效率，而且表面缺陷在环境中容易吸附水分子和氧分子，导致器件寿命下降；另外，用于制备QLED器件的金属氧化物半导体纳米晶通常采用成本较低、流程简便的溶液法制得，而溶液法制备的金属氧化物半导体纳米晶表面容易携带大量的羟基、羧基以及其它悬挂键同样容易引入缺陷能级，影响器件的发光效率和稳定性。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有QLED器件中载流子不平衡，导致发光效率低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种QLED器件，其中，包括阴极和阳极，设置在阴极和阳极之间的叠层，所述叠层由量子点发光层和复合功能层层叠形成；

所述复合功能层包括聚合物基体和分散于所述聚合物基体中的钛酸盐纳米棒；

其中，所述钛酸盐纳米棒相对于阳极和/或阴极所在平面垂直排列。

所述的QLED器件，其中，所述复合功能层靠近阳极设置，所述量子点发光层靠近阴极设置；所述聚合物基体的材料选自具有空穴传输特性的聚合物。

所述的QLED器件，其中，所述具有空穴传输特性的聚合物选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑和N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种。

所述的QLED器件，其中，所述复合功能层靠近阴极设置，所述量子点发光层靠近阳极设置；所述聚合物基体的材料选自具有电子传输特性的聚合物。

所述的QLED器件，其中，所述具有电子传输特性的聚合物选自1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、3-(4-联苯)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-三氮唑和吩基吡啶铍中的一种。

所述的QLED器件，其中，所述钛酸盐纳米棒选自钛酸钡纳米棒、钛酸锶纳米棒、钛酸钙纳米棒、钛酸铋纳米棒以及它们的掺杂物中的一种。

所述的QLED器件，其中，所述钛酸盐纳米棒占所述复合功能层的体积分数为20%～40%。

一种QLED器件，其中，包括阴极和阳极，设置在阴极和阳极之间的叠层，所述叠层由第一复合功能层、量子点发光层和第二复合功能层依次层叠形成，所述第一复合功能层靠近阳极设置；所述第二复合功能层靠近阴极设置；

所述第一复合功能层和第二复合功能层包括聚合物基体和分散于所述聚合物基体中的钛酸盐纳米棒；