[发明专利]一种QLED器件

权利要求书

1.一种QLED器件，其特征在于，包括阴极和阳极，设置在阴极和阳极之间的叠层，所述叠层由量子点发光层和复合功能层层叠形成；

所述复合功能层包括聚合物基体和分散于所述聚合物基体中的钛酸盐纳米棒；

其中，所述钛酸盐纳米棒相对于阳极和/或阴极所在平面垂直排列。

2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述复合功能层靠近阳极设置，所述量子点发光层靠近阴极设置；所述聚合物基体的材料选自具有空穴传输特性的聚合物。

3.根据权利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述具有空穴传输特性的聚合物选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑和N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种。

4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述复合功能层靠近阴极设置，所述量子点发光层靠近阳极设置；所述聚合物基体的材料选自具有电子传输特性的聚合物。

5.根据权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述具有电子传输特性的聚合物选自1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、3-(4-联苯)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-三氮唑和吩基吡啶铍中的一种。

6.根据权利要求1-5任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述钛酸盐纳米棒选自钛酸钡纳米棒、钛酸锶纳米棒、钛酸钙纳米棒、钛酸铋纳米棒以及它们的掺杂物中的一种。

7.根据权利要求1-5任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述钛酸盐纳米棒占所述复合功能层的体积分数为20%～40%。

8.一种QLED器件，其特征在于，包括阴极和阳极，设置在阴极和阳极之间的叠层，所述叠层由第一复合功能层、量子点发光层和第二复合功能层依次层叠形成，所述第一复合功能层靠近阳极设置；所述第二复合功能层靠近阴极设置；

所述第一复合功能层和第二复合功能层包括聚合物基体和分散于所述聚合物基体中的钛酸盐纳米棒；

其中，所述钛酸盐纳米棒相对于阳极和/或阴极所在平面垂直排列。

9.根据权利要求8所述的QLED器件，其特征在于，所述第一复合功能层中聚合物基体的材料选自具有空穴传输特性的聚合物，所述钛酸盐纳米棒占所述复合功能层的体积分数为20%～40%。

10.根据权利要求8所述的QLED器件，其特征在于，所述第二复合功能层中聚合物基体的材料选自具有电子传输特性的聚合物，所述钛酸盐纳米棒占所述复合功能层的体积分数为20%～40%。