[发明专利]一种芯片封装结构及其封装方法

说明书

本发明提供了一种芯片封装结构及封装方法，包括一基板，所述基板上设置有芯片，所述芯片设置于转接板上，所述转接板包括一紫外光透光底板，所述底板上电性连接有晶圆，所述底板耐热温度高于250℃，抗弯强度350Mpa~500Mpa。本发明的有益效果体现在：采用与现有技术不同的底板进行转接板的加工制造，在增强抗弯强度的基础上，可以采用更通用的加热方式来进行解键合，大大降低了封装成本。

技术领域

本发明属于芯片封装技术领域，具体涉及一种新型的芯片封装工艺。

背景技术

随着微电子产业向轻量化、薄型化、小型化以及功能多样化的发展，传统的引线键合互连技术已不能满足高密度的要求，倒装芯片封装技术在这种情况下应运而生。封装技术和封装材料是影响电子封装可靠性最重要的两个面因素，它们之间相互促进、相互制约。

现有的芯片2.5D以及3D封装（此处不包括转接板的制作流程）流程总体有两大类：

第一种方案：芯片先贴到转接板，然后再切割，贴到基板上，具体流程如下：准备带载转接板来料，将芯片贴到转接板上，经过回流焊，转接板上底部填充，根据需要进行可选择性的塑封，对转接板正面贴膜，转接板载解键合，转接板切割，将包括芯片的转接板贴到基板上，再进一步做底部填充，最后完成植球。

第二种方案：转接板切割先贴到基板上，然后再把芯片贴到转接板上，具体流程如下：在带载转接板来料正面贴膜，然后进行转接板载解键合，进行转接板切割，切割完成后的转接板贴到基板上，回流焊、底部填充、将芯片贴到转接板上，再进行回流焊、转接板上底部填充、可选择性的进行塑封，最后完成植球。

以上的流程均使用载板，由于转接板一般比较薄（厚度为100um左右），从铸造厂完成转接板制作到交由封装厂进行封装，在转接板切割之前，需要通过载板用于夹持，以提供足够的支撑强度保证转接板在后续的制程中不会产生破片。

转接板贴到载上使用晶圆临时键合工艺，目前市场上主流的临时键合工艺都使用硅晶圆，玻璃或者金属中的一种作为载板，需要特殊的胶和解键合工艺，以上工艺涉及到涂胶，晶圆键合，解键合机器，甚至还有需要CVD机器，造成了现有的工艺不仅繁琐复杂，设备也较昂贵。

发明内容

为了解决现有技术的不足，本发明提供了一种芯片封装结构及其封装方法。

本发明的目的通过以下技术方案来实现：

一种芯片封装结构，包括一基板，所述基板上设置有芯片，所述芯片设置于转接板上，所述转接板包括一紫外光透光底板，所述底板上电性连接有晶圆，所述底板耐热温度高于250℃，抗弯强度350Mpa~500Mpa。

优选地，还包括有设置于芯片与转接板之间的连接件。

优选地，所述连接组件为焊球。

优选地，所述封装结构还包括有包覆于所述芯片与晶圆之间的塑封胶体。

优选地，所述底板为有机钢化膜。

优选地，以上所述的一种芯片封装结构的封装方法，包括如下步骤：

S1、制备用于贴设芯片的转接板；

S11、准备一紫外光透光底板；

S12、将转接板晶圆的C4凸块面贴设于紫外光透光底板上形成转接板；

S2、将芯片贴装至转接板后经底部填充或塑封；

S3、在经过S2步骤后的转接板上贴设切割膜；

S4、对S3处理后的转接板进行紫外光透光底板的分离；

S5、将经S4处理后的转接板切割成所需大小；