[发明专利]晶粒封装方法有效
申请号: | 201711471758.3 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN109326528B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 周宥佑;施惠瑄;王懿玫;林世昌;洪宗泰;陈秋风 | 申请(专利权)人: | 台虹科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/768 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张瑾 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 封装 方法 | ||
1.一种晶粒封装方法,其特征在于,包含:
提供一基板;
形成一重分布层于该基板上;
设置一晶粒于该重分布层上,其中该晶粒包括一第一部分与一第二部分,且该晶粒的该第二部分在该晶粒的该第一部分与该重分布层之间;
将一第一树脂覆盖于该晶粒上,该第一树脂包含可溶性聚酰亚胺及可溶性聚苯并双咪唑的至少一种,其中该第一树脂包括一第一部分与一第二部分,且该第一树脂的该第二部分与该重分布层以及该晶粒的该第二部分相接触;
移除该第一树脂的该第一部分以及该晶粒的该第一部分以留下该第一树脂的该第二部分以及该晶粒的该第二部分于该基板上;
移除该第一树脂的该第二部分;以及
将一封胶材料覆盖于该晶粒上。
2.如权利要求1所述的晶粒封装方法,其特征在于,移除该第一树脂的该第一部分以及该晶粒的该第一部分包含同时移除该第一树脂的一部分以及该晶粒的一部分。
3.如权利要求1所述的晶粒封装方法,其特征在于,移除该第一树脂的该第一部分以及该晶粒的该第一部分包含将该第一树脂及该晶粒进行研磨。
4.如权利要求1所述的晶粒封装方法,其特征在于,移除该晶粒的该第一部分包含移除该晶粒背侧的一部分。
5.如权利要求1所述的晶粒封装方法,其特征在于,另包含于移除该第一树脂的该第一部分以及该晶粒之前先移除该第一树脂的一部分。
6.如权利要求1所述的晶粒封装方法,其特征在于,另包含于移除该第一树脂的该第一部分以及该晶粒之前先使该晶粒的一部分外露。
7.如权利要求1所述的晶粒封装方法,其特征在于,将该第一树脂覆盖于该晶粒上包含对该第一树脂进行旋转涂布以及贴合的至少其中一种。
8.如权利要求1所述的晶粒封装方法,其特征在于,该第一树脂的厚度是介于50微米至200微米之间。
9.如权利要求1所述的晶粒封装方法,其特征在于,移除该第一树脂的该第二部分包含使用二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、四氢呋喃及二甲基亚砜中的至少一种。
10.如权利要求1所述的晶粒封装方法,其特征在于,该封胶材料是一成型复合物。
11.如权利要求1所述的晶粒封装方法,其特征在于,形成该重分布层于该基板上包含于形成该重分布层之前先形成一黏着层于该基板上,且该重分布层形成于该黏着层上。
12.如权利要求11所述的晶粒封装方法,其特征在于,另包含利用激光剥离及紫外线剥离中的至少一种方式以移除该黏着层。
13.一种晶粒封装方法,其特征在于,包含:
提供一基板具有一第一表面;
形成一黏着层于该基板的该第一表面上;
形成一重分布层于该黏着层上;
设置一晶粒于该重分布层上,使该晶粒电连接该重分布层,其中该晶粒包括一第一部分与一第二部分,且该晶粒的该第二部分在该晶粒的该第一部分与该重分布层之间;
将一第一树脂覆盖于该晶粒上,该第一树脂包含可溶性聚酰亚胺及可溶性聚苯并双咪唑的至少一种,其中该第一树脂包括一第一部分与一第二部分,且该第一树脂的该第二部分与该重分布层以及该晶粒的该第二部分相接触;
移除该第一树脂的该第一部分以及该晶粒的该第一部分以留下该第一树脂的该第二部分以及晶粒的该第二部分;
移除该第一树脂的该第二部分;以及
将一封胶材料覆盖于该晶粒上。
14.如权利要求13所述的晶粒封装方法,其特征在于,移除该第一树脂的该第一部分以及该晶粒的该第一部分包含进行化学机械研磨。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造