[发明专利]立式贴片电容及其制作工艺

说明书

本发明公开一种立式贴片电容及其制作工艺，属于微电子技术领域，包括电容基底，电容基底包括上端面和下端面，上端面和下端面的内侧均设有内电极，内电极包括上电极和下电极，上电极和下电极呈立式交错布置，且上电极一端连接上端面，另一端不接触下端面，下电极连接下端面，另一端不接触上端面，上端面和下端面外部设有金属层形成外部端电极，端电极平行于安装面且与内电极连接，改进电容的内部结构，解决轻薄化、小型化封装元件内的电容应用问题，应用中电容立式安装，无需在框架上做出牺牲，保证了框架的完整性，同时通过改变电极印刷工艺、切割方法、镀层工艺而达到改变电容的形状及电极方向的目的。

技术领域

本发明涉及一种立式贴片电容及其制作工艺，属于微电子技术领域。

背景技术

电容是一种成熟的微电子无源器件，多应用于电路上的储能或滤波，而现有MLCC电容应用在扁平封装元件内时其外形和端电极的形式不适用于封装内元件的垂直安装方式，对封装元件内电容的应用造成困扰。

MLCC电容对安装造成的困扰：封装元件内器件自动化安装是以自动焊接工艺进行的，自动焊接工艺适用于平整且表面积较大的物体，而常规MLCC电容形状如图6所示，呈狭长的扁平形状，上表面狭窄细长且因两端电极7的隆起使表面不平整，从而造成自动焊接工艺(装片工序)的抓取率极低，从而导致自动化生产的良品率不高，如采用人工装片则装片效率及准确度堪忧；如图6-7所示，MLCC电容14的端电极7位于水平方向的两端，如安装在封装元件内，为构成回路需在框架上开出容纳MLCC电容14的缺口或增加框架数片数，如此牺牲了框架的完整性，降低了产品的散热性及框架与外层塑封材料的结合力。

发明内容

本发明的目的在于提供一种立式贴片电容及其制作工艺，改进电容的内部结构，解决轻薄化、小型化封装元件内的电容应用问题。

本发明所述的立式贴片电容，包括电容基底，电容基底包括上端面和下端面，上端面和下端面的内侧均设有内电极，内电极包括上电极和下电极，上电极和下电极呈立式交错布置，且上电极一端连接上端面，另一端不接触下端面，下电极连接下端面，另一端不接触上端面，上端面和下端面外部设有金属层形成外部端电极，端电极平行于安装面且与内电极连接。

所述的电容基底的上端面和下端面内侧蚀刻沟槽，沟槽内填充金属形成内电极。

所述的内电极立式交错布置的空隙中设有介电层，介电层和内电极之间形成电容效应。

所述的电容基底呈水平方向长宽对等的扁平形外观，外层由介质包裹。

所述的介电层为电子硅材料或陶瓷材料。

采用立式安装，扁平式设计，端电极位于立式贴片电容的上下端面，充分利用立式贴片电容的片状结构纵列排布内电极，并可通过增减内电极数量及介电层厚度调整产品容量。

本发明所述的立式贴片电容的制造工艺，包括以下步骤：

(1)原物料准备:准备相应尺寸晶圆原材料；

(2)晶圆减薄：晶圆正面贴保护膜片后，用晶圆研磨机打磨晶圆背面至工艺要求厚度；

(3)晶圆清洗：在不破坏晶圆表面特征的情况下清洗溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染；

(4)晶圆涂膜；

(5)晶圆上光刻上下两面沟槽；

(6)沟槽内表面耐压处理，为适应不同电压等级，沟槽内表面进行耐压处理已增加介电质的绝缘性能；

(7)晶圆两面沟槽内溅镀金属：在蚀刻后硅晶圆的上下面沟槽内反复溅镀金属形成内电极；

(8)晶圆上下端面镀金属：在步骤(5)光刻好的两面沟槽内溅镀金属后的晶圆上下表面上沉积金属层形成端电极；