[发明专利]立式贴片电容及其制作工艺

权利要求书

1.一种立式贴片电容的制造工艺，包括电容基底（3），所述的电容基底（3）包括上端面（2）和下端面（5），上端面（2）和下端面（5）的内侧均设有内电极（6），内电极（6）包括上电极和下电极，上电极和下电极呈立式交错布置，且上电极一端连接上端面（2），另一端不接触下端面（5），下电极连接下端面（5），另一端不接触上端面（2），上端面（2）和下端面外部设有金属层形成外部端电极（7），端电极（7）平行于安装面且与内电极（6）连接，所述的电容基底（3）的上端面和下端面内侧蚀刻沟槽（1），沟槽（1）内填充金属形成内电极（6）；其特征在于：所述的工艺包括以下步骤：

（1）原物料准备:准备相应尺寸硅晶圆原材料；

（2）硅晶圆减薄：硅晶圆正面贴保护膜片后，用晶圆研磨机打磨硅晶圆背面至工艺要求厚度；

（3）硅晶圆清洗：在不破坏硅晶圆表面特征的情况下清洗溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染；

（4）硅晶圆涂膜：硅晶圆涂膜采用热氧化制作工艺：在一定温度之下，将硅晶圆置于炉内加热板上，驱离炉管中水气以及氧气后充入氮气保护防止晶圆片的氧化和杂质的扩散，逐渐升高炉内温度至热氧化制作工艺温度，在炉管中通入氧气，并进行热氧化制作工艺生成掩蔽层，使晶圆片具有良好的涂胶性能；

（5）硅晶圆上光刻上下两面沟槽（1），具体包括以下步骤：

（111）通过甩胶机上在硅晶圆正面涂覆一层光刻胶；

（112）预烘后用高压水银灯通过掩模照射硅晶圆正面光刻胶获得与掩模形状相同的感光图形；

（113）将显影液喷涂在曝光后的硅晶圆上，显影后用纯水清洗然后置于烘箱内在烘干；

（114）烘干后采用湿法腐蚀在光刻后的硅晶圆上蚀刻出预定的沟槽（1）；

（115）蚀刻完成后去除光刻胶；

（6）沟槽（1）内表面耐压处理，为适应不同电压等级，沟槽（1）内表面进行耐压处理以增加介电质的绝缘性能；

（7）硅晶圆两面沟槽（1）内溅镀金属：在蚀刻后硅晶圆的上下面沟槽（1）内反复溅镀金属形成内电极（6）；

（8）硅晶圆上下端面镀金属：在步骤（5）光刻好的两面沟槽（1）内溅镀金属后的硅晶圆上下表面上沉积金属层形成端电极（7）；

（9）硅晶圆划片：用高速旋转的切割刀沿硅晶圆的切割槽切割硅晶圆，分割成独立的裸晶；

（10）目检：在显微镜下外观分选，剔除外观不良的产品；

（11）测试：测试立式贴片电容的性能，剔除电性不良的产品；

（12）包装入库：安装电容器的尺寸及数量按照客户要求包装入库。

2.根据权利要求1所述的立式贴片电容的制造工艺，其特征在于：所述的内电极（6）立式交错布置的空隙中设有介电层（4），介电层（4）和内电极（6）之间形成电容效应。

3.根据权利要求1所述的立式贴片电容的制造工艺，其特征在于：所述的电容基底（3）呈水平方向长宽对等的扁平形，外层由介质包裹。

4.根据权利要求1所述的立式贴片电容的制造工艺，其特征在于：所述的步骤（3）中晶圆清洗采用湿式清洗法，依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，在不破坏晶圆表面特征的情况下清洗溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。

5.根据权利要求1所述的立式贴片电容的制造工艺，其特征在于：所述的端电极（7）镀层金属包括：铜（Gu)、银(Ag)、金(Au)或铝(Al)；内电极（6）镀层金属包括：金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)和钛(Ti)。