[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，其中，阵列基板包括：衬底基板；形成在衬底基板上的金属层；形成在衬底基板和金属层上的钝化层；形成在钝化层上的平坦层；通过对金属层上的平坦层和钝化层进行刻蚀形成的接触孔，金属层至少部分地暴露于接触孔，接触孔在钝化层处的孔壁与在平坦层处的孔壁处于同一平面或者形成一钝角；形成在平坦层以及接触孔处的连续的像素电极层，所述像素电极层与金属层相连接。本发明通过对金属层上的平坦层和钝化层进行两步刻蚀，使接触孔在钝化层处的孔壁与在平坦层处的孔壁处于同一平面或者形成一钝角，解决了现有技术中因出现底切导致像素电极层断裂的问题。

技术领域

本发明涉及屏幕显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

随着LCD面板阵列基板（Array）段的制程中，越来越多应用COA（彩膜层集成到阵列基板，Color filter on Array）、POA（光阻间隔物集成到阵列基板，Photo spacer onArray）等新技术，需要引入PFA（polymer film on array）工艺来制备平坦层，优化膜层表面平坦度。

请参照图1所示，通常的阵列基板制作过程是：首先在衬底基板1´上沉积形成金属层11´，然后在衬底基板1´和金属层11´上形成钝化层12´，再在钝化层12´上形成平坦层13´，对平坦层13´和钝化层12´进行刻蚀形成接触孔15´。钝化层12´通常由SiNx等材料制成，由于平坦层13´和钝化层12´的刻蚀速度不相同，一般来说平坦层13´的刻蚀速度较钝化层12´慢，而且通过PFA工艺形成的平坦层13´在刻蚀后会保留在衬底基板1´上，使得刻蚀后平坦层13´的边缘比钝化层12´的边缘更突出，接触孔15´的孔壁不连续，最终形成底切（undercut）10´。

接下来沉积像素电极层14´时，请在参照图2所示，由于平坦层13´的边缘与钝化层12´的边缘之间形成有底切10´，导致该处的像素电极层14´容易发生断裂。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种阵列基板及其制备方法，以避免沉积的像素电极层发生断裂。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，包括：

衬底基板；

形成在所述衬底基板上的金属层；

形成在所述衬底基板和所述金属层上的钝化层；

形成在所述钝化层上的平坦层；

通过对所述金属层上的平坦层和所述钝化层进行刻蚀形成的接触孔，所述金属层至少部分地暴露于所述接触孔，所述接触孔在所述钝化层处的孔壁与在所述平坦层处的孔壁处于同一平面或者形成一钝角；

形成在所述平坦层以及所述接触孔处的连续的像素电极层，所述像素电极层与所述金属层相接触。

其中，所述接触孔在所述钝化层处的孔壁形成一台阶，包括平行于所述衬底基板的第一孔壁，以及自所述第一孔壁朝向所述金属层倾斜并与其相接的第二孔壁，所述第一孔壁与所述接触孔在所述平坦层处的孔壁形成一钝角。

其中，所述钝化层材质为SiNx、SiOx、SiOxNy中的任一种。

本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成金属层、钝化层和平坦层；

对所述金属层上的平坦层和钝化层分两步进行刻蚀形成接触孔，使所述金属层至少部分地暴露于所述接触孔，所述接触孔在所述钝化层处的孔壁与在所述平坦层处的孔壁处于同一平面或者形成一钝角；

在所述平坦层及所述接触孔处形成连续的像素电极层，所述像素电极层与所述金属层相接触。