[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成金属层、钝化层和平坦层；

对所述金属层上的平坦层和钝化层分两步进行刻蚀形成接触孔，使所述金属层至少部分地暴露于所述接触孔，所述接触孔在所述钝化层处的孔壁与在所述平坦层处的孔壁处于同一平面或者形成一钝角；

在所述平坦层及所述接触孔处形成连续的像素电极层，所述像素电极层与所述金属层相连接；

其中，对所述金属层上的平坦层和钝化层进行的两步刻蚀中，第一步刻蚀较多的钝化层和较少的平坦层；第二步刻蚀剩余的钝化层和较多的平坦层，使得形成的接触孔在平坦层处的孔壁不突出于在钝化层处的孔壁，平坦层处的孔壁前端不悬空，与钝化层处的孔壁处于同一平面或者形成一个钝角，在平坦层上以及沿着接触孔连续的孔壁沉积像素电极层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述金属层上的平坦层和钝化层进行的两步刻蚀中，第一步刻蚀中平坦层和钝化层的刻蚀速率选择比小于第二步刻蚀中平坦层和钝化层的刻蚀速率选择比。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，第一步刻蚀中平坦层与钝化层的刻蚀速率选择比的取值范围为[0.8，1]，第二步刻蚀中平坦层与钝化层的刻蚀速率选择比的取值范围为[1.8，2]。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，通过所述两步刻蚀，刻蚀掉的平坦层厚度与刻蚀掉的钝化层厚度之比为1.2～1.5。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述金属层上的平坦层和钝化层进行的两步刻蚀中，进一步包括：根据平坦层材质或钝化层膜质相应调整第一步或第二步的刻蚀时间。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，如果所述钝化层选用更致密的膜质，则增加第一步的刻蚀时间；如果平坦层选用刻蚀速率更快的材质，则减少第二步的刻蚀时间。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，如果所述钝化层选用更疏松的膜质，则减少第一步的刻蚀时间；如果平坦层选用刻蚀速率更慢的材质，则增加第二步的刻蚀时间。