[发明专利]适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法

权利要求书

1.一种适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中具有前层辅助图形；

于所述半导体衬底表面形成覆盖层；

刻蚀部分所述覆盖层，暴露出所述前层辅助图形；

于所述半导体衬底表面形成当层辅助图形，且所述当层辅助图形暴露出所述前层辅助图形；

采用多种方法对所述当层辅助图形与所述前层辅助图形的套刻精度进行评估；

测量不同方向上所述当层辅助图形与所述前层辅助图形的套刻精度；

分别将多种方法评估得到的套刻精度与测量得到的套刻精度进行线性拟合，获得各自的线性拟合斜率及线性相关系数，确定与测量得到的套刻精度最接近的评估方法为最佳评估方法。

2.如权利要求1所述的适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，其特征在于，所述前层辅助图形为周期排布的第一沟槽。

3.如权利要求2所述的适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度为5nm～2000nm。

4.如权利要求3所述的适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，其特征在于，所述当层辅助图形为周期排布的第二沟槽，且所述前层辅助图形与所述当层辅助图形的周期相同。

5.如权利要求4所述的适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，其特征在于，所述第二沟槽的宽度为5nm～2000nm。

6.如权利要求4所述的适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，其特征在于，所述周期为20nm～2000nm。

7.如权利要求1所述的适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，其特征在于，于所述半导体衬底表面形成覆盖层的步骤包括：于所述第一沟槽中填充介质层；依次于所述半导体衬底表面形成栅极氧化层及多晶硅栅极。

8.如权利要求8所述的适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅、氮化硅、多晶硅、碳化硅、底部抗反射材料中的一种或几种的组合。

9.如权利要求1所述的适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，其特征在于，刻蚀部分所述覆盖层，暴露出所述前层辅助图形的步骤包括：于所述覆盖层上形成第一光阻；对所述第一光阻进行曝光、显影，暴露出部分所述覆盖层；刻蚀暴露出的所述覆盖层；去除所述第一光阻。

10.如权利要求1所述的适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，其特征在于，于所述半导体衬底表面形成当层辅助图形的步骤包括：于暴露出的所述前层辅助图形上形成第二光阻；对所述第二光阻进行曝光、显影，形成所述当层辅助图形。

11.如权利要求1所述的适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，其特征在于，采用基于图像信号处理的套刻精度量测方法或基于衍射信号处理的套刻精度量测方法评估所述套刻精度。

12.如权利要求1所述的适用于离子注入工艺套刻精度的评估方法，其特征在于，所述离子注入工艺为阱区离子注入工艺、多晶硅栅离子注入工艺、轻掺杂漏极离子注入工艺或源和漏离子注入工艺。