[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，所述制备方法包括步骤：在薄膜晶体管层上沉积钝化材料层，所述钝化材料层包括交替设置的第一膜层和第二膜层，所述钝化材料层的顶层为所述第二膜层，所述第一膜层与所述第二膜层的材质不同；以光阻层为掩模，对所述钝化材料层进行刻蚀，直至刻蚀至露出所述第一膜层，形成与所述光阻层对应的图案结构；在所述光阻层及暴露的所述第一膜层上沉积ITO薄膜；将所述光阻层剥离，获得阵列基板。由于不同材料的刻蚀速率不同，从而可以在间隔物的边缘与光阻的边缘形成较大的间隔，使得剥离液能够更好的对光阻进行剥离，提升剥离效率和剥离均一性，降低光阻残留的概率。

技术领域

本发明涉及阵列基板制备的技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

TFT-LCD液晶显示器是当前应用最为广泛的平板显示器，制造液晶面板的技术日趋成熟与先进。简化生产工艺、减少制程时间、提高制程效率是降低生产成本以在行业的剧烈竞争中得以生存的重要途径。因此，3Mask工艺制备TFT-LCD阵列基板结构的技术被广泛研究。

3Mask工艺是基于4Mask工艺基础上，利用Half-Tone光罩，结合ITO的lift-off工艺，在PV层挖洞之后，不移除光阻直接ITO成膜，成膜后再移除光阻，移除光阻的过程同时完成像素电极层的图型化，而ITO的Lift-off工艺的难点之处在于光阻上覆盖ITO，剥离液只能从没有被ITO覆盖的区域开始剥离光阻，在没有被ITO覆盖的区域较小时，存在剥离效率不高、光阻残留等问题而影响面板质量。

发明内容

为了解决现有技术的不足，本发明提供一种阵列基板及其制备方法，能够提升剥离效率和剥离均一性，降低光阻残留的概率。

本发明提出的具体技术方案为：提供一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括步骤：

在薄膜晶体管层上沉积钝化材料层，所述钝化材料层包括交替设置的第一膜层和第二膜层，所述钝化材料层的顶层为所述第二膜层，所述第一膜层与所述第二膜层的材质不同；

以光阻层为掩模，对所述钝化材料层进行刻蚀，直至刻蚀至露出所述第一膜层，形成与所述光阻层对应的图案结构；

在所述光阻层及暴露的所述第一膜层上沉积ITO薄膜；

将所述光阻层剥离，获得阵列基板。

进一步地，所述第一膜层的材质为二氧化硅，所述第二膜层的材质为氮化硅。

进一步地，在步骤以光阻层为掩模，对所述钝化材料层进行刻蚀，直至刻蚀至露出所述第一膜层之前，所述制备方法还包括：

在所述钝化材料层上沉积光阻材料层；

对所述光阻材料层进行曝光显影，获得所述光阻层，所述光阻层包括间隔设置的多个光阻。

进一步地，所述图案结构包括间隔设置的多个间隔物，所述多个间隔物与所述多个光阻一一对应。

进一步地，所述间隔物在所述第一膜层上的投影位于所述光阻在所述第一膜层上的投影内。

进一步地，所述ITO薄膜的厚度小于所述第二膜层的厚度。

本发明还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管层、钝化层及像素电极层，所述钝化层位于所述薄膜晶体管层上，所述像素电极层形成于所述钝化层的表面，所述钝化层包括交替设置的第一膜层、第二膜层及位于所述钝化层的顶层的图案结构，所述第一膜层与所述第二膜层的材质不同，所述图案结构的材质与所述第二膜层的材质相同，所述像素电极层包括多个像素电极，所述图案结构包括多个间隔物，所述间隔物与所述像素电极间隔设置。

进一步地，所述第一膜层的材质为二氧化硅，所述第二膜层的材质为氮化硅。

进一步地，所述像素电极的厚度小于所述间隔物的厚度。