[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在薄膜晶体管层上沉积钝化材料层，所述钝化材料层包括交替设置的第一膜层和第二膜层，所述钝化材料层的顶层为所述第二膜层，所述第一膜层与所述第二膜层的材质不同，所述第一膜层和第二膜层交替叠层设置；

以光阻层为掩模，对所述钝化材料层进行刻蚀，直至刻蚀至露出所述第一膜层，形成与所述光阻层对应的图案结构；

在所述光阻层及暴露的所述第一膜层上沉积ITO薄膜；

将所述光阻层剥离，获得阵列基板，

其中，对所述钝化材料层进行刻蚀以形成所述图案结构时，第二膜层的刻蚀速率大于第一膜层的刻蚀速率。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一膜层的材质为二氧化硅，所述第二膜层的材质为氮化硅。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤以光阻层为掩模，对所述钝化材料层进行刻蚀，直至刻蚀至露出所述第一膜层之前，所述制备方法还包括：

在所述钝化材料层上沉积光阻材料层；

对所述光阻材料层进行曝光显影，获得所述光阻层，所述光阻层包括间隔设置的多个光阻。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述图案结构包括间隔设置的多个间隔物，所述多个间隔物与所述多个光阻一一对应。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述间隔物在所述第一膜层上的投影位于所述光阻在所述第一膜层上的投影内。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述ITO薄膜的厚度小于所述第二膜层的厚度。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括薄膜晶体管层、钝化层及像素电极层，所述钝化层位于所述薄膜晶体管层上，所述像素电极层形成于所述钝化层的表面，所述钝化层包括交替设置的第一膜层、第二膜层及位于所述钝化层的顶层的图案结构，所述第一膜层与所述第二膜层的材质不同，所述图案结构的材质与所述第二膜层的材质相同，所述像素电极层包括多个像素电极，所述图案结构包括多个间隔物，所述间隔物与所述像素电极间隔设置，所述第一膜层和第二膜层交替叠层设置，

其中，在形成图案结构时，第二膜层的材质的反应速率比第一膜层的材质的反应速率大。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层的材质为二氧化硅，所述第二膜层的材质为氮化硅。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的厚度小于所述间隔物的厚度。

10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层上还设有过孔，所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。