[发明专利]基底与掩模对位的方法以及对基底图案化的方法有效
| 申请号： | 201711459726.1 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108109906B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 杜鹏 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/68 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底 对位 方法 以及 图案 | ||
1.一种对用于显示面板的基底图案化的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供第一基底，所述第一基底包括有效区域和无效区域；
对第一基底的有效区域进行分块；
在第一基底的不被图案化的一侧设置第一对位标记的至少一部分，在第一基底的将被图案化的一侧的无效区域处设置第一对位标记的剩余部分；
基于第一基底的分块来对掩模进行分块，并在掩模上设置与第一对位标记对应的第二对位标记；
将掩模设置在第一基底的将要图案化的一侧上，使第一对位标记和第二对位标记进行对位，从而利用掩模基于第一基底的分块来对基底的各个块进行图案化。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，设置第一对位标记的步骤包括：
将第一对位标记全部都设置在第一基底的未被图案化的一侧上。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，设置第一对位标记的步骤包括：
提供第二基底，在第二基底上设置第一对位标记的至少一部分。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，提供第二基底的步骤包括：
将第一对位标记全部都设置在第二基底上。
5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，提供第二基底的步骤包括：
在第二基底上设置第二对准标记，并且在第一基底上设置第一对准标记，通过第一对准标记与第二对准标记的对准，使得第一基底与第二基底准确对位。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，将第一对准标记设置在第一基底的将被图案化的一侧和不将被图案化的另一侧的至少一侧上，并且设置在第一基底的无效区域内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
