[发明专利]半导体封装装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201711459163.6 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108336072B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 叶昶麟;高仁杰;黄志亿;朱富成 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 萧辅宽<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装主体 衬底 第一表面 半导体封装装置 磁导 包封 制造 | ||
1.一种半导体装置封装，包括：
衬底，其包含第一表面；
第一封装主体，其包封所述衬底的所述第一表面；
磁导性元件，其包含设置在所述衬底的所述第一表面上并且由所述第一封装主体包封的第一部分及设置在所述第一封装主体上的第二部分；以及
线圈，其在所述第一封装主体内，
其中所述磁导性元件的所述第一部分与所述磁导性元件的所述第二部分由所述第一封装主体隔开。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述磁导性元件进一步包括在所述第一封装主体内并且连接所述磁导性元件的所述第一部分与所述磁导性元件的所述第二部分的第三部分。
3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述线圈环绕所述磁导性元件的所述第三部分。
4.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述磁导性元件的所述第三部分的厚度与所述磁导性元件的所述第一部分的厚度相同或大于所述磁导性元件的所述第一部分的所述厚度。
5.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述磁导性元件进一步包括：
第四部分，其设置在所述衬底的所述第一表面上并且与所述磁导性元件的所述第一部分以物理方式分隔开；以及
第五部分，其在所述第一封装主体内并且连接所述磁导性元件的所述第四部分与所述磁导性元件的所述第二部分。
6.根据权利要求5所述的半导体装置封装，进一步包括设置在所述衬底的所述第一表面上并且由所述第一封装主体包封的电子组件，其中所述电子组件设置在所述磁导性元件的所述第三部分与所述磁导性元件的所述第五部分之间。
7.根据权利要求5所述的半导体装置封装，其中所述磁导性元件的所述第五部分的厚度与所述磁导性元件的所述第四部分的厚度相同或大于所述磁导性元件的所述第四部分的所述厚度。
8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述磁导性元件包含磁性层及导电层，所述导电层电连接到所述衬底的所述第一表面上的接地衬垫。
9.根据权利要求1所述的半导体装置封装，进一步包括：
设置在所述衬底的与所述第一表面相反的第二表面上的电子组件；以及
设置在所述衬底的所述第一表面上的电连接件，所述电连接件包含由所述第一封装主体包封的第一部分及从所述第一封装主体暴露的第二部分。
10.根据权利要求1所述的半导体装置封装，进一步包括：
设置在所述衬底的与所述第一表面相反的第二表面上的电子组件；
设置在所述衬底的所述第二表面上的电连接件；以及
包封所述电子组件及所述电连接件的第一部分并且暴露所述电连接件的第二部分的第二封装主体。
11.一种半导体装置封装，包括：
衬底，其包含第一表面；
第一封装主体，其包封所述衬底的所述第一表面；
磁导性元件，其包含设置在所述衬底的所述第一表面上并且由所述第一封装主体包封的第一部分及设置在所述第一封装主体上的第二部分；以及
在所述第一封装主体内的线圈，其中所述磁导性元件的所述第二部分的宽度小于所述线圈的内部宽度，
其中所述磁导性元件的所述第一部分与所述磁导性元件的所述第二部分由所述第一封装主体隔开。
12.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其中所述磁导性元件的所述第一部分的长度大于所述线圈的所述内部宽度。
13.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其中所述磁导性元件进一步包括在所述第一封装主体内并且连接所述磁导性元件的所述第一部分与所述磁导性元件的所述第二部分的第三部分。
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