[发明专利]一种含侧向含氟单体液晶的制备方法

说明书

本发明涉及液晶领域，特别涉及一种含侧向含氟单体液晶的制备方法，所述的含侧向含氟单体液晶的结构式如下：式中，R为C₁～C₉的直链烷基；R1为C₁～C₉的直链烷氧基，n为1,2。本发明提供的制备方法操作简单，原材料成本低廉，原料易于得到，技术及设备壁垒低，利于工业化生产。

技术领域

本发明涉及液晶领域，特别涉及一种应用于液晶组合物及液晶显示器中的含侧向含氟类单体液晶的制备方法。

背景技术

随着LCD技术飞速发展，TFT-LCD所要求液晶材料也快速发展，该类材料要求液晶化合物具有低的粘度性，电压保持率高等要求。而含侧向含氟单体类液晶材料，具有良好的溶性和良好的光化学稳定性等优良性能，能降低混合液晶的粘度，它们现在已经成为STN-LCD，TFT-LCD液晶材料的主要成分。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种含侧向含氟单体液晶的制备方法，该制备方法操作简单，原材料成本低，原料易于得到，技术及设备壁垒低，利于工业化生产。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

一种含侧向含氟单体液晶,其特征在于，含侧向含氟单体液晶的结构式如下：

式中，R为C₁～C₉的直链烷基；R1为C₁～C₉的直链烷氧基，n为1,2。

一种含侧向含氟单体液晶的制备方法，按照以下步骤进行：

1)制备Grignard试剂：将化合物Ⅰ与金属镁在20～70℃温度条件下反应4～8小时，化合物Ⅰ与金属镁的摩尔比为1:0.95～1.1，得Grignard试剂；

2)制备化合物III：将Grignard试剂与化合物II按照摩尔比为1:0.95～1.1混合，进行Grignard反应得到化合物III；

3)制备化合物IV：化合物III进行脱水反应1～5小时，得到化合物IV；

4)制备含侧向含氟类单体液晶：化合物IV在氢气氛围下使用贵金属催化剂进行催化氢化反应，反应时间为4～8小时，得到所述的含侧向含氟类单体液晶；其中，

所述的化合物Ⅰ的结构式为：

所述的化合物Ⅱ的结构式为：

所述的化合物III的结构式为：

所述的化合物IV的结构式为:

所述的含侧向含氟单体的结构式为:

式中，R为C₁～C₉的直链烷基；R1为C₁～C₉的直链烷氧基，n为1,2。

具体地,所述的制备化合物III，化合物I与化合物II的摩尔比为1:0.95；

所述的制备化合物III，反应温度为60～65℃；

所述的化合物III进行脱水反应时间为2小时；

所述的化合物IV进行氢化反应,反应温度为20～40℃,反应溶剂为甲苯、乙醇的混合溶剂,所述贵金属催化剂是钯碳或铂碳中的一种，反应时间为6小时。

具体实施方式