[发明专利]一种含侧向含氟单体液晶的制备方法

权利要求书

1.一种含侧向含氟单体液晶,其特征在于，含侧向含氟单体液晶的结构式如下：

式中，R为C₁～C₉的直链烷基；R1为C₁～C₉的直链烷氧基，n为1,2。

2.一种含侧向含氟单体液晶的制备方法，其特征在于，按照以下步骤进行：

1)制备Grignard试剂：将化合物Ⅰ与金属镁在20～70℃温度条件下反应4～8小时，化合物Ⅰ与金属镁的摩尔比为1:0.95～1.1，得Grignard试剂；

2)制备化合物III：将Grignard试剂与化合物II按照摩尔比为1:0.95～1.1混合，进行Grignard反应得到化合物III；

3)制备化合物IV：化合物III进行脱水反应1～5小时，得到化合物IV；

4)制备含侧向含氟类单体液晶：化合物IV在氢气氛围下使用贵金属催化剂进行催化氢化反应，反应时间为4～8小时，得到所述的含侧向含氟类单体液晶；其中，

所述的化合物Ⅰ的结构式为：

所述的化合物Ⅱ的结构式为：

所述的化合物III的结构式为：

所述的化合物IV的结构式为:

所述的含侧向含氟单体的结构式为:

式中，R为C₁～C₉的直链烷基；R1为C₁～C₉的直链烷氧基，n为1,2。

3.根据权利要求所述的含侧向含氟单体液晶的制备方法，其特征在于，步骤1)所述的制备化合物III，化合物I与化合物II的摩尔比为1:0.95。

4.根据权利要求1所述的含侧向含氟单体液晶的制备方法，其特征在于，步骤2)所述的制备化合物III，反应温度为60～65℃。

5.根据权利要求1所述的含侧向含氟单体液晶的制备方法，其特征在于，步骤3)所述的化合物III进行脱水反应时间为2小时。

6.根据权利要求1所述的含侧向含氟单体液晶的制备方法，其特征在于，步骤4)中所述的化合物IV进行氢化反应,反应温度为20～40℃,所述贵金属催化剂是钯碳或铂碳中的一种，反应时间为6小时。