[发明专利]一种砷化镓多晶的合成方法及合成装置在审
| 申请号： | 201711455507.6 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108103577A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李超;朱刘;狄聚青;高鹏飞;黄宇彬 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B28/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 砷化镓 多晶 定向凝固 均匀化 合成装置 液相反应 单质 保护性气体 二次污染 高压合成 机械装置 密封性能 低成本 多晶棒 高纯镓 石英管 双温区 速率比 污染液 高纯 切割 合成 移动 配套 | ||
1.一种砷化镓多晶的高压合成方法，包括以下步骤：
在真空和保护性气体气氛下，将高纯镓单质和砷单质依次进行升温、均匀化、VGF定向凝固和降温，得到砷化镓多晶；
所述VGF定向凝固为：均匀化后采用VGF工艺降温，等温面的移动速率为30～60mm/h。
2.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述升温前，初始压力为3～3.8MPa。
3.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述升温具体为：在t
4.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述均匀化具体为：保持温度为T
5.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述降温具体为：VGF定向凝固结束后，先以速率V
所述V
6.一种砷化镓多晶的合成装置，包括带封头和底座的筒体，
所述筒体内设置有坩埚和坩埚支撑部件；
所述坩埚外围设置有多段加热装置；多段加热装置为2～6段；
所述多段加热器外部设置有保温层。
7.根据权利要求6所述的合成装置，其特征在于，所述多段加热装置为2～6段圆环状的加热器。
8.根据权利要求7所述的合成装置，其特征在于，所述加热器为石墨加热器或硅钼棒加热器。
9.根据权利要求7所述的合成装置，其特征在于，所述保温层为高纯碳毡保温层。
10.根据权利要求7所述的合成装置，其特征在于，所述保温层外部是外高压的水冷壁；
所述水冷的温度为30～50℃。
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