[发明专利]一种二硫化钼纳米管的制备方法

权利要求书

1.一种二硫化钼纳米管的制备方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：

1)以六羰基钼作为原料，多孔阳极氧化铝作为模板，将原料铺装在陶瓷坩埚底部，后将多孔阳极氧化铝模板开口向下置于原料上方，密封坩埚后置于真空管式炉中，在气体保护下加热，低温升华，使六羰基钼在多孔阳极氧化铝模板中沉积，继续升温，使沉积在多孔阳极氧化铝模板中的六羰基钼热分解，得金属钼沉积；

2)待步骤1)的真空管式炉降至室温后，取出多孔阳极氧化铝模板，并将其开口向下置于装有硫粉的陶瓷坩埚中，密封坩埚后置于真空管式炉中，在气体保护下升温，使单质硫与金属钼直接反应， 反应完毕后停止加热，坩埚随炉冷却至室温；

3)用稀酸溶液去除多孔氧化铝模板，用二硫化碳去除多余的硫，去离子水清洗，后进行抽滤处理，烘干，得成品；

步骤1)中所述的低温升华的温度为50～150℃，升华时间为30～200min；步骤1)中所述热分解的温度为200～420℃，热分解时间为30～100min；步骤2)中所述单质硫与金属钼的反应温度为500～650℃，反应时间为100～150min。

2.根据权利要求1所述的一种二硫化钼纳米管的制备方法，其特征在于：步骤1)中所述的多孔阳极氧化铝模板的孔径在10～200nm范围内。

3.根据权利要求1所述的一种二硫化钼纳米管的制备方法，其特征在于：步骤3)中所述的稀酸溶液为浓度为0.1～3mol/L的磷酸溶液。

4.根据权利要求1所述的一种二硫化钼纳米管的制备方法，其特征在于：步骤1)和步骤2)中所述气体为氮气或者氩气，气体纯度为99.999％，所述保护气体的流速为10～500SCCM。