[发明专利]一种太赫兹波探测器

说明书

本发明提供了一种太赫兹波探测器，包括：片上天线、场效应晶体管、空孔阵列，片上天线用于接收太赫兹波信号；场效应晶体管用于探测太赫兹波，所述场效应晶体管的源极用于输入所述片上天线接收到的太赫兹波信号，且在所述片上天线与所述场效应晶体管的源极之间设置有一匹配网络，在所述场效应晶体管的栅极上加载有一偏置电压，且所述场效应晶体管的栅极连接有一陷波滤波器，所述场效应晶体管的漏极用于输出信号；空孔阵列设置于所述片上天线的金属层，其中，任意相邻空孔之间的距离都小于或等于DRC设计规则检查要求的最大金属宽度尺寸。本发明能通过标准CMOS工艺DRC设计规则检查，在进行DRC设计规则检查时不会报错。

技术领域

本发明涉及太赫兹波探测技术领域、CMOS太赫兹波阵列图像传感器领域，更具体地涉及一种能通过标准CMOS工艺设计规则检查(DRC)的太赫兹波探测器。

背景技术

太赫兹波是指频率在0.1THz～10THz范围内的电磁波，其波段位于毫米波和红外光之间。太赫兹波具有许多独特的性质，在安全检查、生物医学成像、质量监控及无损探测等领域具有巨大的应用前景，目前基于场效应晶体管的探测器其天线尺寸通常超过了设计规则允许的尺寸且金属密度低于规则要求，导致无法通过DRC设计规则验证。

发明内容

(一)要解决的技术问题

鉴于上述技术问题，本发明提出了一种能通过标准CMOS工艺DRC设计规则检查的太赫兹波探测器，在进行DRC设计规则检查时不会报错，因此可以与放大器、ADC及数字处理电路等一起集成在同一片硅片上进行大批量生产。

(二)技术方案

根据本发明的一个方面，提供了一种太赫兹波探测器，其包括：

片上天线，用于接收太赫兹波信号；

场效应晶体管，用于探测太赫兹波，所述场效应晶体管的源极用于输入所述片上天线接收到的太赫兹波信号，且在所述片上天线与所述场效应晶体管的源极之间设置有一匹配网络，在所述场效应晶体管的栅极上加载有一偏置电压，且所述场效应晶体管的栅极连接有一陷波滤波器，所述场效应晶体管的漏极用于输出信号；

空孔阵列，设置于所述片上天线的金属层，其中，任意相邻空孔之间的距离都小于或等于DRC设计规则检查要求的最大金属宽度尺寸。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出，本发明太赫兹波探测器至少具有以下有益效果其中之一：

(1)本发明提供的太赫兹波探测器通过在天线的大面积金属上光刻空孔阵列，避免了在进行DRC设计规则检查时出现金属尺寸不符合规则的问题；

(2)本发明提供的太赫兹波探测器通过在天线的周围设置悬空的金属层，避免了在进行DRC设计规则检查时出现金属密度过低的问题；

(3)本发明提供的太赫兹波探测器，在天线的大面积金属上光刻空孔阵列对天线的性能影响很小。

附图说明

图1为本发明实施例太赫兹波探测器的结构示意图。

图2为本发明实施例太赫兹波探测器的版图结构俯视示意图。

图3为本发明实施例太赫兹波探测器的版图结构侧视示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

本发明的实施例于后方将参照所附附图做更全面性地描述，其中一些但并非全部的实施例将被示出。实际上，本发明的各种实施例可以许多不同形式实现，而不应被解释为限于此数所阐述的实施例；相对地，提供这些实施例使得本发明满足适用的法律要求。