[发明专利]一种太赫兹波探测器在审
| 申请号： | 201711454095.4 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108180931A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 方桐;刘力源;刘剑;吴南健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01D5/48 | 分类号： | G01D5/48;H01L31/113 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 片上天线 设计规则检查 太赫兹波 空孔 太赫兹波探测器 源极 标准CMOS工艺 陷波滤波器 匹配网络 输出信号 栅极连接 阵列设置 金属层 漏极 探测 金属 | ||
1.一种太赫兹波探测器，其包括：
片上天线，用于接收太赫兹波信号；
场效应晶体管，用于探测太赫兹波，所述场效应晶体管的源极用于输入所述片上天线接收到的太赫兹波信号，且在所述片上天线与所述场效应晶体管的源极之间设置有一匹配网络，在所述场效应晶体管的栅极上加载有一偏置电压，且所述场效应晶体管的栅极连接有一陷波滤波器，所述场效应晶体管的漏极用于输出信号；
空孔阵列，设置于所述片上天线的金属层，其中，任意相邻空孔之间的距离都小于或等于DRC设计规则检查要求的最大金属宽度尺寸。
2.根据权利要求1所述的太赫兹波探测器，其中，还包括：悬空金属层，设置于所述片上天线的四周。
3.根据权利要求2所述的太赫兹波探测器，其中，所述悬空金属层为多层。
4.根据权利要求3所述的太赫兹波探测器，其中，每层悬空金属层的宽度小于或等于对应工艺DRC规则文件允许的最大金属宽度。
5.根据权利要求1所述的太赫兹波探测器，其中，所述空孔阵列中的空孔长和宽的尺寸大于或等于对应工艺DRC规则文件允许的最小金属尺寸。
6.根据权利要求1或2所述的太赫兹波探测器，其中，所述片上天线为贴片天线、蝶形天线、环形天线或偶极子天线。
7.根据权利要求1所述的太赫兹波探测器，其中，所述陷波滤波器一端与场效应晶体管的栅极相连，另一端为开路，并且其长度根据所探测的太赫兹波波长决定，为待测太赫兹波在CMOS绝缘介质层中波长的四分之一再加以仿真微调。
8.根据权利要求7所述的太赫兹波探测器，其中，所述陷波滤波器长度为25um～35um，宽度为1.2um。
9.根据权利要求1所述的太赫兹波探测器，其中，所述匹配网络包括微带线及其与场效应晶体管源极之间的互连金属接触孔。
10.根据权利要求9所述的太赫兹波探测器，其中，所述微带线为单微带线，微带线长度为15um～25um，宽度为1.2um。
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