[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管的制造方法，其包括：提供基板，所述基板包括相对设置的第一表面及第二表面；在所述第一表面形成源极；在所述第一表面及所述源极上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述源极和所述第一表面；在所述栅极绝缘层上形成间隔设置的第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽穿过所述栅极绝缘层以露出所述源极；在所述第一沟槽内形成栅极；在所述第二沟槽内形成有源层；在所述栅极绝缘层的表面上形成像素电极层，所述像素电极层与所述有源层连接，与所述栅极绝缘。所述薄膜晶体管的制造方法能够制备一种尺寸小且开关比大的薄膜晶体管。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其方法、阵列基板和显示面板。

背景技术

显示器以重量轻、体积小和薄形化等诸多优点越来越受到用户的关注。在显示器的应用中，为了保证在行周期内向液晶像素上即时准确地写入图像信号，需要增大薄膜晶体管的开态电流，以及为了加在液晶像素上的电压在一帧时间内基本保持不变，需要减小薄膜晶体管的关态电流，甚至为了提高图像质量，防止图像闪烁、残像和灰度错乱等情况出现，也要求像素在开态和关态转变过程中加在像素两端的电压保持一致。因此，如何提高薄膜晶体管的性能成为相关企业及科研人员的研究热点。

然而，由于在工艺条件的限制下，目前的薄膜晶体管的尺寸大且开关比小。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，以实现提高薄膜晶体管的性能和实现薄膜晶体管的薄形化。

一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

提供基板，所述基板包括相对设置的第一表面及第二表面；

在所述第一表面形成源极；

在所述第一表面及所述源极上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述源极和所述第一表面；

在所述栅极绝缘层上形成间隔设置的第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽穿过所述栅极绝缘层以露出所述源极；

在所述第一沟槽内形成栅极；

在所述第二沟槽内形成有源层；

在所述栅极绝缘层的表面上形成像素电极层，所述像素电极层与所述有源层连接，与所述栅极绝缘。

其中，在所述栅极绝缘层的表面上形成像素电极层，所述像素电极层与所述有源层连接，与所述栅极绝缘的步骤中，包括，

在所述栅极绝缘层的表面上形成氧化物半导体层，并对所述氧化物半导体层进行构图工艺，以使所述氧化物半导体层与所述栅极绝缘；

对所述图案化后的氧化物半导体层进行导体化处理，以使所述氧化物半导体层形成像素电极层。

其中，对所述图案化后的氧化物半导体层进行导体化处理，以使所述氧化物半导体层形成像素电极层的步骤中，包括，

所述导体化处理为表面等离子体处理；所述表面等离子体处理采用的气体为氩气、氦气或者它们的混合气体。

其中，在所述第二沟槽内形成有源层的步骤中，包括，

在栅极绝缘层的表面形成第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层覆盖所述第二沟槽；

所述第一氧化物半导体层经图案化处理，以形成在第二沟槽内的所述有源层。

其中，在所述栅极绝缘层上形成间隔设置的第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽穿过所述栅极绝缘层以露出所述源极的步骤中，包括，

所述第一沟槽和所述第二沟槽经图案化处理同时形成。

其中，所述步骤“在所述第一表面形成源极”中包括